[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的刻蝕方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210567794.0
• 申請日: 2012-12-24
• 公開（公告）號: CN103021783A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王兆祥;梁潔;倪圖強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/311
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有待刻蝕材料層；

在所述待刻蝕材料層表面形成掩膜層；

以所述掩膜層為掩膜，對所述待刻蝕材料層進(jìn)行刻蝕工藝，通入反應(yīng)氣體后，射頻功率源以第一脈沖的方式輸出射頻功率，偏置功率源以第二脈沖的方式輸出偏置功率，且所述第一脈沖和第二脈沖的脈沖頻率不同。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述射頻功率源的脈沖頻率為偏置功率源的脈沖頻率的1.2~20倍。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述偏置功率源的脈沖頻率為射頻功率源的脈沖頻率的1.2~20倍。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述射頻功率源的開啟時間和偏置功率源的開啟時間存在相位差。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述射頻功率源與偏壓功率源同時開啟，同時關(guān)閉，或者一個開啟時另一個同時關(guān)閉。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述第一脈沖的占空比和所述第二脈沖的占空比相同或不同。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述射頻功率源的功率范圍為0~4000瓦，射頻頻率為25兆赫茲~120兆赫茲，所述第一脈沖的脈沖頻率小于50千赫茲，占空比為10%~90%。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述偏置功率源的功率范圍為0~5000瓦，射頻頻率為1兆赫茲~15兆赫茲，所述第二脈沖的脈沖頻率小于50千赫茲，占空比為10%~90%。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述偏置功率源通過第二射頻匹配器與反應(yīng)腔的下電極相連接。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述射頻功率源通過第一射頻匹配器與反應(yīng)腔的下電極或上電極相連接。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕工藝為電容耦合等離子體刻蝕工藝。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述反應(yīng)氣體包括SF₆、CF₄、C₄F₈、C₄F₆、CH₂F₂、CHF₃、CH₃F、O₂、CO、CO₂、N2、惰性氣體其中的一種或幾種。

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述待刻蝕材料層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅、低K介質(zhì)材料、超低K介質(zhì)材料、無定形碳、光刻膠、底部抗反射層、金屬材料、硅材料、鍺材料其中的一種或幾種。