[發明專利]一種梁膜單梁結構硅微流量傳感器芯片有效
| 申請號： | 201210567772.4 | 申請日： | 2012-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN103076050A | 公開（公告）日： | 2013-05-01 |
| 發明（設計）人： | 趙玉龍;陳佩;李一瑤 | 申請（專利權）人： | 西安交通大學 |
| 主分類號： | G01F1/56 | 分類號： | G01F1/56 |
| 代理公司： | 西安智大知識產權代理事務所 61215 | 代理人： | 賀建斌 |
| 地址： | 710049 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 梁膜單梁 結構 流量傳感器 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種梁膜單梁結構硅微流量傳感器芯片，包括外圍支撐硅基（3），其特征在于：在外圍支撐硅基（3）的背面配置有玻璃襯底（4），外圍支撐硅基（3）的背面與玻璃襯底（4）進行鍵合連接，中央硅膜（1）位于外圍支撐硅基（3）的中間，中央硅膜（1）的一邊和外圍支撐硅基（3）之間通過一硅懸臂梁（2）相連，硅懸臂梁（2）上的中間配置有四個壓阻條（5），四個壓阻條（5）連接構成惠斯通電橋，中央硅膜（1）與硅懸臂梁（2）組成的梁膜結構構成傳感器測量部位；
所述的中央硅膜（1）與外圍支撐硅基（3）之間存在150-170m的間隙以使中央質硅膜（1）懸空，中央硅膜（1）的厚度與硅懸臂梁（2）的厚度相同；
所述的中央硅膜（1）、硅懸臂梁（2）和外圍支撐硅基（3）三部分的中軸線重合。
2.根據權利要求1所述的一種梁膜單梁結構硅微流量傳感器芯片，其特征在于：所述的硅懸臂梁（2）采用了（100）晶面硅。
3.根據權利要求1所述的一種梁膜單梁結構硅微流量傳感器芯片，其特征在于：所述的四個壓阻條（5）沿著[110]和[110]晶向布置。
4.根據權利要求1所述的一種梁膜單梁結構硅微流量傳感器芯片，其特征在于：本發明采用250um（100晶面）N型雙面拋光硅片制作。
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