[發明專利]超薄納米片半導體材料及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 201210567629.5
• 申請日: 2012-12-24
• 公開（公告）號: CN103896222A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 楊晴;周俊;周曉麗;王文亮;陸亞林
• 申請（專利權）人: 中國科學技術大學
• 主分類號: C01B19/04
• 分類號: C01B19/04;B82Y30/00
• 代理公司: 北京維澳專利代理有限公司 11252
• 代理人: 馬佑平

1.一種超薄納米片半導體材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）將第一高沸點有機溶劑加熱，得到第一溶液；

（2）將A的前驅源A_nB_m和R的前驅源R_jV_k在第二高沸點有機溶劑中加熱溶解，得到第二溶液，其中A為金屬元素Bi、Mo、W、Sb及Cu中的一種，B為苯基、羰基、環戊二烯基、乙酰丙酮、硝酸根及鹵族元素Cl和Br中的一種，R為氧族元素S、Se及Te中的一種，V為苯基或芐基，n=1，1≤m≤6，1≤j≤2，k=2；

（3）將所述第一溶液和所述第二溶液混合后攪拌并保溫一段時間，即得到超薄納米片半導體材料。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中加熱的溫度為200～320℃，且在加熱的過程中在惰性氣體保護下攪拌所述第一高沸點有機溶劑。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一高沸點有機溶劑為油胺、油酸、二芐胺、二芐醚、十八烯和二異辛胺中的一種或幾種。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二溶液中A的前驅源的濃度為0.01～1mol/L，所述第二溶液中R的前驅源的濃度為0.02～2mol/L。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二高沸點有機溶劑為油胺、油酸、二芐胺、二芐醚、十八烯和二異辛胺中的一種或幾種。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中加熱的溫度為50～200℃，且在加熱的過程中在惰性氣體保護下攪拌所述第二高沸點有機溶劑。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一高沸點有機溶劑和所述第二高沸點有機溶劑的體積比為3～50:1。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中保溫的溫度為200～320℃，攪拌的時間為1～180min。

9.一種由權利要求1～8任一項所述方法制備的超薄納米片半導體材料，其特征在于，所述超薄納米片半導體材料的厚度為1～50nm。

10.權利要求9所述的超薄納米片半導體材料在太陽能電池或太陽能集熱裝置中的應用。