[發(fā)明專利]α-氧化鋁的成形多孔體及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210567470.7 | 申請日： | 2007-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN103101943A | 公開（公告）日： | 2013-05-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 斯滕·沃林;朱莉安娜·G·塞拉芬;馬登·M·巴辛;史蒂文·R·拉克索;凱文·E·霍華德;彼得·C·勒巴倫 | 申請（專利權）人： | 陶氏環(huán)球技術公司 |
| 主分類號： | C01F7/02 | 分類號： | C01F7/02 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 陳平 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化鋁 成形 多孔 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于改變α-氧化鋁的表面組成的方法，所述方法包括：
a.提供容器；
b.將具有一種表面組成的α-氧化鋁引入到所述容器中；
c.將含氟化合物以在引入條件下的含氟氣體形式引入到所述容器中；以及
d.在一個或多個時間周期并且在足以改變所述α-氧化鋁的表面組成的一個或多個溫度下，使被引入的含氟化合物與所述α-氧化鋁的至少一部分接觸。
2.一種α-氧化鋁片晶，所述α-氧化鋁片晶的表面組成包含硅濃度為約1至約20原子％的含硅物種，所述硅濃度是通過X-射線光電子能譜術測定的，其中至少75％的片晶是互鎖的片晶。
3.一種α-氧化鋁片晶，所述α-氧化鋁片晶的表面組成包含硼濃度為約1至約20原子％的含硼物種，所述硼濃度是通過X-射線光電子能譜術測定的，其中至少75％的片晶是互鎖的片晶。
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