[發明專利]液晶顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201210567466.0 | 申請日: | 2012-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN103309100A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發明(設計)人: | 崔赫 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;鐘強 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液晶 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種液晶顯示裝置,包括:
單公共線,位于基板的中央;
第一組單元像素和第二組單元像素,第一組單元像素位于以公共線為基準的基板的右半部分,第二組單元像素位于以公共線為基準的基板的左半部分,每一個單元像素由彼此垂直相交的多條柵線和數據線限定;和
多個薄膜晶體管,形成在第一組的各個單元像素的右側和第二組的各個單元像素的左側。
2.根據權利要求1的器件,其中,每條柵線位于第一組單元像素中各個單元像素的右側,且每條柵線位于第二組單元像素中各個單元像素的左側,其中柵線與單公共線平行。
3.根據權利要求1的器件,其中,每個單元像素包括:
薄膜晶體管,形成在下基板上;
至少一個絕緣膜,位于包括薄膜晶體管的基板上;
公共電極,位于至少一個絕緣膜上以與單公共線接觸,其中公共電極形成在下基板的整個表面的上方,具有對應于薄膜晶體管的開口;
第三絕緣膜,形成在公共電極上;和
像素電極,形成在第三絕緣膜上以與以每個單元像素為基準的薄膜晶體管連接,其中在像素電極和公共電極間產生邊緣場,其間插入有第三絕緣膜。
4.根據權利要求3的器件,其中像素電極或公共電極形成為狹縫的形式。
5.根據權利要求3的器件,其中至少一個絕緣膜包括:在包括薄膜晶體管的基板上的第一絕緣膜和在第一絕緣膜上的第二絕緣膜。
6.根據權利要求5的器件,其中公共電極通過選擇性地除去第一和第二絕緣膜而形成的公共接觸孔與單公共線電連接,像素電極通過選擇性地除去第一、第二和第三絕緣膜而形成的像素接觸孔與薄膜晶體管電連接。
7.根據權利要求1的器件,其中每個單元像素包括:
薄膜晶體管,形成在下基板上;
至少一個絕緣膜,位于包括薄膜晶體管的基板上;
像素電極,形成在至少一個絕緣膜上,與以每個單元像素為基準的薄膜晶體管連接;
第三絕緣膜,形成在像素電極的上方;和
公共電極,位于第三絕緣膜上,與單公共線接觸,其中公共電極形成在下基板的整個表面上,具有對應薄膜晶體管的開口,
其中在像素電極和公共電極間產生邊緣場,其間插有第三絕緣膜。
8.根據權利要求7的器件,其中像素電極或公共電極形成為狹縫的形式。
9.一種制造液晶顯示裝置的方法,包括:
在基板上形成具有柵極電極的多條柵線和與柵線平行的單公共線;
在包括多條柵線和單公共線的基板上形成柵絕緣膜;
在柵極電極的上方,在絕緣膜上形成半導體層;
形成源極電極和漏極電極與多條數據線,以形成每一個包括柵極電極、半導體層以及源極電極和漏極電極的薄膜晶體管,其中多條數據線與多條柵線垂直相交以形成多個單元像素;
在包括源極和漏極電極以及多條數據線的柵絕緣膜上形成第一絕緣膜;
在第一絕緣膜的整個表面上形成公共電極以在其與每一個薄膜晶體管相對應的區域中具有開口,公共電極與公共線連接;
在包括公共電極的第一絕緣膜上形成第二絕緣膜;和
以每個單元像素為基準,在第二絕緣膜上形成像素電極,像素電極與每一個薄膜晶體管連接。
10.根據權利要求9的方法,其中單公共線形成在基板中央。
11.根據權利要求10的方法,其中以公共線為基準的基板右半部分中的薄膜晶體管位于各個單元像素的右側,以公共線為基準的基板左半部分中的薄膜晶體管位于各個單元像素的左側。
12.根據權利要求9的方法,其中像素電極或公共電極形成為狹縫的形式。
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