[發明專利]放熱構件、電子元件及電池有效
| 申請號: | 201210567426.6 | 申請日: | 2012-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN103192571B | 公開(公告)日: | 2017-08-18 |
| 發明(設計)人: | 藤原武;島村武生 | 申請(專利權)人: | 捷恩智株式會社 |
| 主分類號: | B32B27/08 | 分類號: | B32B27/08;C09J129/14;C09J11/04;C01B32/20 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 日本東京千代*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 放熱 構件 電子元件 電池 | ||
技術領域
本發明涉及一種放熱構件、電子元件及電池。
背景技術
藉由對高分子膜進行熱處理而所得的石墨薄片(graphitesheet)顯示出優異的導熱性,因此作為導熱體而使用(專利文獻1)。
近年的電子機器隨著高性能化、高功能化而發熱量增大,因此要求于該機器中使用放熱特性更優異的導熱體。作為此種導熱體,揭示了使用一種積層體的方法,所述積層體是藉由接著劑對石墨薄片與金屬板進行接著而成(專利文獻2~專利文獻5)。
于所述專利文獻3中記載了使用橡膠狀彈性接著劑或者硅酮系導熱性接著劑作為接著劑的方法;于所述專利文獻4中記載了使用含有銀、金、銅等導電性填料的接著劑的方法。而且,于所述專利文獻5中記載了使用丙烯酸系接著劑的方法。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平11-21117號公報
[專利文獻2]日本專利特開2001-144237號公報
[專利文獻3]日本專利特開平10-247708號公報
[專利文獻4]日本專利特開2004-23066號公報
[專利文獻5]日本專利特開2009-280433號公報
發明內容
于現有的導熱體(積層體)中,存在石墨薄片與金屬板的接著強度差的情形。
而且,包含接著劑的層(接著層)通常導熱率小,且隨著該層的厚度變厚,所述積層體的積層方向的熱阻變大。因此,要求使用厚度盡可能薄的接著層。
然而,所述專利文獻中所記載的接著層由于石墨薄片與金屬板的接著強度差,因此若不使接著層的厚度變厚,則存在無法獲得可于電子機器等中使用的導熱體的情形。該接著層厚的積層體特別是積層體的積層方向的熱阻大,放熱特性差。
本發明是鑒于此種問題點而成者,其目的在于提供具有金屬層與石墨層的接著強度優異且厚度薄的接著層的放熱構件。
本發明者為了解決所述課題而進行了銳意研究,結果發現藉由以下放熱構件可解決所述課題,從而完成本發明,所述放熱構件包含經由特定接著層而積層有金屬層與石墨層的積層體。
[1]一種放熱構件,其包含經由接著層而積層有金屬層與石墨層的積層體,該接著層由包含聚乙烯縮醛樹脂的組成物而形成。
[2]如[1]所述的放熱構件,其中,所述組成物進一步包含導熱性填料。
[3]如[1]或[2]所述的放熱構件,其中,所述聚乙烯縮醛樹脂包含下述結構單元A、結構單元B及結構單元C,
[化1]結構單元A
結構單元A中,R獨立為氫或烷基[化2]結構單元B
[化3]結構單元C。
[4]如[3]所述的放熱構件,其中,所述聚乙烯縮醛樹脂進一步包含下述結構單元D,
[化4]結構單元D
結構單元D中,R1獨立為氫或碳數為1~5的烷基。
[5]如[3]或[4]所述的放熱構件,其中,所述結構單元A中的R為氫或碳數為1~3的烷基。
[6]如[1]~[5]中任一項所述的放熱構件,其中,所述接著層的所述積層體的積層方向的導熱率為0.05W/m·K~50W/m·K。
[7]如[1]~[6]中任一項所述的放熱構件,其中,所述接著層的厚度為0.05μm~10μm。
[8]如[2]~[7]中任一項所述的放熱構件,其中,所述接著層包含相對于接著層100vol%而言為1vol%~80vol%的導熱性填料。
[9]如[2]~[8]中任一項所述的放熱構件,其中,所述導熱性填料包含選自由金屬粉、金屬氧化物粉、金屬氮化物粉及金屬碳化物粉所構成的群組的至少1種粉體。
[10]如[9]所述的放熱構件,其中,所述導熱性填料包含選自由氮化鋁粉、氧化鋁粉、氧化鋅粉、氧化鎂粉、碳化硅粉、碳化鎢粉、鋁粉及銅粉所構成的群組的至少1種粉體。
[11]如[9]或[10]所述的放熱構件,其中,所述導熱性填料的平均直徑為0.001μm~30μm。
[12]如[2]~[8]中任一項所述的放熱構件,其中,所述導熱性填料是包含碳材料的填料。
[13]如[12]所述的放熱構件,其中,所述導熱性填料包含選自由石墨粉、碳納米管及金剛石粉所構成的群組的至少1種粉體。
[14]如[1]~[13]中任一項所述的放熱構件,其中,所述石墨層的相對于所述積層體的積層方向而言大致垂直方向的導熱率為250W/m·K~2000W/m·K。
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