[發(fā)明專利]一種BaTiO3 基無(wú)鉛X8R 型陶瓷電容器介質(zhì)材料及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210566894.1 | 申請(qǐng)日： | 2012-12-24 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103011805A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蒲永平;高攀;李品 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 陜西科技大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C04B35/468 | 分類號(hào)： | C04B35/468;C04B35/622;H01G4/12 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710021 *** | 國(guó)省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 batio sub 基無(wú)鉛 x8r 陶瓷 電容器 介質(zhì) 材料 及其 制備 方法 | ||
【技術(shù)領(lǐng)域】
本發(fā)明涉及陶瓷電容器介質(zhì)材料領(lǐng)域，特別涉及一種環(huán)保、溫度穩(wěn)定的X8R型陶瓷電容器介質(zhì)材料及制備方法。
【背景技術(shù)】
隨著信息技術(shù)和電子科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)電子設(shè)備提出更高的使用要求，例如輕型化，片式化以及小型化，多層陶瓷電容器(MLCC)正因這些原因應(yīng)運(yùn)而生。目前，我們常用的制備多層陶瓷電容器的介質(zhì)材料是BaTiO3基陶瓷。鈦酸鋇在室溫下的介電常數(shù)可達(dá)到1500～3000，同時(shí)在生產(chǎn)和應(yīng)用過(guò)程中不會(huì)對(duì)環(huán)境產(chǎn)生污染，因此很適合用于介電材料。然而，BaTiO3的居里溫度約為120℃，高于居里溫度時(shí)介電常數(shù)急劇下降，介電損耗大，影響到陶瓷電容器的溫度穩(wěn)定性，因此，必須對(duì)鈦酸鋇進(jìn)行摻雜改性。經(jīng)過(guò)適當(dāng)?shù)膿诫s改性后的鈦酸鋇基陶瓷材料具有高介電常數(shù)，低損耗和熱膨脹系數(shù)小的特點(diǎn)。
近年來(lái)，多層陶瓷電容器已經(jīng)開(kāi)始逐步進(jìn)入汽車電子應(yīng)用領(lǐng)域，諸如發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元(ECU)、防抱死制動(dòng)系統(tǒng)(ABS)、燃油噴射程控模塊(PGMFI)等，使用溫度可達(dá)+150℃，要滿足這樣的使用環(huán)境，需要耐受多次高溫運(yùn)行以及大量熱沖擊。然而，鈦酸鋇基材料的電容-溫度特性具有一定的局限性，當(dāng)溫度超過(guò)120℃時(shí)，其容溫變化率(△C/C20℃)超過(guò)15%，無(wú)法提供穩(wěn)定的介電性能。具有EIA(Electronic?Industries?Association，美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì))X7R特性(-55℃～+125℃，△C/C20℃≤±15%，其中△C是以20℃時(shí)的電容量C20℃為基準(zhǔn)的其他溫度點(diǎn)的電容量C變化△C=C-C20℃)的MLCC難以滿足上述的高溫條件下的工作要求。因此，開(kāi)發(fā)研制到EIA?X8R標(biāo)準(zhǔn)（-55℃～+150℃，△C/C20℃≤±15%）MLCC受到了普遍的關(guān)注。
雖然，BaTiO3基無(wú)鉛X8R型陶瓷電容器介質(zhì)材料已經(jīng)得到廣泛關(guān)注，但是，將Bi0.5K0.5TiO3和BaNb2O6共摻雜BaTiO3得到溫度穩(wěn)定的X8R型陶瓷電容器介質(zhì)材料還鮮有報(bào)道。鑒于此，實(shí)有必要提供一種可以解決上述問(wèn)題的BaTiO3基環(huán)保X8R型陶瓷電容器材料及制備方法。
【發(fā)明內(nèi)容】
本發(fā)明的目的在于是提供一種BaTiO3基無(wú)鉛X8R型陶瓷電容器介質(zhì)材料及其制備方法，通過(guò)本發(fā)明方法制得的X8R型陶瓷電容器材料，不但制備工藝簡(jiǎn)單，材料成本低，而且具有較高的介電常數(shù)、低的介電損耗、體電阻率大、良好溫度穩(wěn)定性，有可能成為替代鉛基陶瓷材料成為多層陶瓷電容器在技術(shù)和經(jīng)濟(jì)上兼優(yōu)的重要候選材料。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取如下技術(shù)方案：
一種BaTiO3基無(wú)鉛X8R型陶瓷電容器介質(zhì)材料的制備方法，包括如下步驟：
步驟一：制備BaTiO3、Bi0.5K0.5TiO3和BaNb2O6備用；按照摩爾比1:1稱取BaCO3和TiO2混合形成混合物A；按照摩爾比1:1:4稱取Bi2O3，K2CO3和TiO2混合形成混合物B；按照摩爾比1:1稱取BaCO3和Nb2O5混合形成混合物C；
步驟二：取混合物A、B、C，分別與鋯球石及去離子水，按照質(zhì)量比為1:1:1混合后依次進(jìn)行球磨、烘干、壓塊后，置于馬弗爐中分別于1150℃保溫2小時(shí)，950℃保溫3小時(shí)，1000℃保溫2小時(shí)，分別形成純相的BaTiO3，Bi0.5K0.5TiO3和BaNb2O6粉體，備用；
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于陜西科技大學(xué)，未經(jīng)陜西科技大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210566894.1/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種BaTiO<sub>3</sub>智能涂層的制備方法和BaTiO<sub>3</sub>智能涂層
- 一種BaTiO3基PTC陶瓷及其制備方法
- 一種能降低介電損耗的多層Ni／BaTiO3薄膜的制備方法
- 一種BaTiO<sub>3</sub>陶瓷的制備方法
- 臺(tái)階式薄膜波導(dǎo)電光調(diào)制器制作方法
- 一種BaTiO<sub>3</sub>基鐵電陶瓷材料及其制備方法和應(yīng)用
- 一種無(wú)鉛BaTiO<sub>3</sub>-PVDF復(fù)合膜及其制備方法
- 一種高耐壓鈦酸鋇基復(fù)合陶瓷介質(zhì)材料及其制備方法
- 一種薄膜紫外探測(cè)器及其制備方法
- 一種液相旋蒸法制備四方相BaTiO<base:Sub>3
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復(fù)相熱障涂層材料
- 無(wú)鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復(fù)合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復(fù)合材料的制備方法
- 用于加密和解密數(shù)據(jù)塊的設(shè)備和方法
- X8R型多層陶瓷電容器介質(zhì)材料及制備方法
- X8R特性片式多層陶瓷電容器的制備方法
- 用于加密和解密數(shù)據(jù)塊的設(shè)備和方法
- 一種高介電常數(shù)X8R型電容器陶瓷材料及其制備方法
- 用于中溫?zé)Y(jié)具有偏壓特性的溫度穩(wěn)定X8R型MLCC介質(zhì)材料
- 一種鈦酸鋇基X8R陶瓷材料及其制備方法、陶瓷電容器
- 一種X8R型陶瓷電容器介質(zhì)材料及其制備方法
- 低溫?zé)Y(jié)的溫度穩(wěn)定X8R型MLCC介質(zhì)材料
- 一種X8R型陶瓷電容器介質(zhì)材料及其制備方法
