[發明專利]有機發光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201210566817.6 | 申請日: | 2012-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN103681738B | 公開(公告)日: | 2016-11-30 |
| 發明(設計)人: | 金炳秀;韓圭一;金相大 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光顯示裝置,包括:
第一基板,所述第一基板包括多個像素區域;
薄膜晶體管(TFT),所述薄膜晶體管在所述第一基板上的顯示單元的每個像素區域中;
第一電極,所述第一電極在所述顯示單元的像素區域中;
有機發光單元,所述有機發光單元在所述顯示單元的像素區域中以發光;
第二電極,所述第二電極在所述顯示單元的所述有機發光單元上;
鈍化層,所述鈍化層形成在所述第二電極上;以及
第二基板,所述第二基板在所述鈍化層上,
其中所述第二電極由銀(Ag)與堿土金屬的合金或者銀(Ag)與稀土金屬的合金制成,銀(Ag)與所述堿土金屬的配比或銀(Ag)與所述稀土金屬的配比為(大于1):1,并且所述第二電極的厚度取值范圍從至350-
2.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中所述鈍化層包括:
第一鈍化層,所述第一鈍化層由無機材料制成并且被設置在所述第二電極上;
第二鈍化層,所述第二鈍化層由有機材料制成并且被設置在所述第一鈍化層上;以及
第三鈍化層,所述第三鈍化層由無機材料制成并且被設置在所述第二鈍化層上。
3.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中所述第一鈍化層和所述第三鈍化層由SiNx或SiOx制成。
4.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中所述第一鈍化層至所述第三鈍化層分別被形成為具有幾微米的厚度。
5.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中所述第二電極的折射率為0.1至0.4,而所述第一鈍化層的折射率為1.5至2.5。
6.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中所述第二電極在460nm波長處具有25%或更大的透射比,在530nm波長處具有20%或更大的透射比,而在620nm波長處具有15%或更大的透射比。
7.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中所述第一電極由從銀(Ag)、鋁(Al)和Al合金組成的組中選擇的材料制成。
8.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中所述第一基板由玻璃或塑料制成。
9.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中所述第二基板由玻璃、塑料或保護膜制成。
10.一種有機發光顯示裝置的制造方法,所述方法包括:
提供第一基板和第二基板;
將薄膜晶體管(TFT)形成在所述第一基板的每個像素處;
在每個像素中形成第一電極;
在所述第一電極上形成用于發光的有機發光單元;
通過將配比為(大于1):1且厚度取值范圍從至350-的銀(Ag)與堿土金屬的合金或銀(Ag)與稀土金屬的合金進行沉積來形成第二電極;
在所述第二電極上形成鈍化層;以及
將所述第一基板與所述第二基板貼合。
11.根據權利要求10所述的方法,其中形成所述鈍化層包括:
通過將無機材料沉積在所述第二電極上形成第一鈍化層;
通過將有機材料沉積在所述第一鈍化層上形成第二鈍化層;以及
通過將無機材料沉積在所述第二鈍化層上形成第三鈍化層。
12.一種有機發光顯示裝置,包括:
第一基板,所述第一基板包括多個像素區域;
薄膜晶體管(TFT),所述薄膜晶體管位于所述第一基板的顯示單元的所述多個像素區域中的每個像素區域處;
第一電極,所述第一電極形成在所述顯示單元的像素區域中;
有機發光單元,所述有機發光單元在所述顯示單元的像素區域中以發光;
第二電極,所述第二電極在所述顯示單元的所述有機發光單元上,并且由銀(Ag)與堿土金屬的合金或者銀(Ag)與稀土金屬的合金制成;
鈍化層,所述鈍化層位于所述第二電極上;以及
第二基板,所述第二基板位于所述鈍化層上,
其中所述鈍化層包括由無機材料制成并被設置成與所述第二電極接觸的第一無機鈍化層,并且所述第二電極的折射率為0.1至0.4,而與所述第二電極接觸的所述第一無機鈍化層的折射率為1.5至2.5。
13.根據權利要求12所述的有機發光顯示裝置,其中所述鈍化層還包括形成在所述第一無機鈍化層上的至少一個有機鈍化層以及第二無機鈍化層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于樂金顯示有限公司,未經樂金顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210566817.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





