[發明專利]包含銻氧化物的厚膜組合物及其在制備半導體器件中的用途

在審

• 申請號: 201210566694.6
• 申請日: 2012-12-24
• 公開（公告）號: CN103177788A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: M·赫爾特斯;M·內伊德特
• 申請（專利權）人: 赫勞斯貴金屬有限兩和公司
• 主分類號: H01B1/20
• 分類號: H01B1/20;H01B1/22;H01L21/28;H01L31/0224
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 肖威;劉金輝

1.一種厚膜組合物，其包含：

a)金屬或其衍生物；

b)含氧化鉍的玻璃料；

c)任選的添加劑；和

d)有機介質，

其中所述組合物包含銻氧化物。

2.根據權利要求1的厚膜組合物，進一步包含氧化鋅。

3.根據權利要求1或2的厚膜組合物，其中所述玻璃料基本不含鉛或者所述玻璃料的氧化鉛含量基于玻璃組合物總重量為小于0.5重量%。

4.根據前述權利要求中任一項的厚膜組合物，其包含：60-95重量%的金屬，和0.2-2重量%的銻氧化物，基于所述厚膜組合物的固體組分總重量。

5.根據權利要求4的厚膜組合物，其包含：0.2-5重量%的金屬添加劑和包括銻氧化物的金屬氧化物添加劑，基于所述厚膜組合物的固體組分總重量。

6.根據前述權利要求中任一項的厚膜組合物，其中所述導電金屬包括銀。

7.根據前述權利要求中任一項的厚膜組合物，其中所述有機介質包含聚合物。

8.根據權利要求7的厚膜組合物，其中所述有機介質進一步包含一種或多種選自溶劑、穩定劑、表面活性劑和增稠劑的其他添加劑。

9.根據前述權利要求中任一項的厚膜組合物，其包含一種或多種玻璃料，所述玻璃料包含50-85重量%，更優選55-85重量%的Bi₂O₃，0.0-10重量%的Sb₂O₃，0.0-10重量%的SiO₂，0.0-7重量%，尤其是2-6.5重量%的Al₂O₃，3-10重量%的ZnO，0.0-10.0重量%的Li₂O，0.0-8.0重量%的P₂O₅，0.0-10重量%的B₂O，0.0-10重量%的In₂O₃，2.0-15重量%的TeO和0.0-10重量%的MgO，所有重量百分比均基于玻璃組合物的總重量。

10.根據前述權利要求中任一項的厚膜組合物，其包含一種或多種選自如下組的添加劑：(a)金屬，其中所述金屬選自Zn、Al、Ti、Sn、Ru、Co、In、Ag、Bi、Sb和Mg；(b)金屬氧化物，其中所述金屬選自Zn、Sn、Sb、Ru和Co；(c)任何能在燒結時產生金屬氧化物(b)的化合物；和(d)其混合物。

11.一種方法，其包括：

(i)提供包含一個或多個沉積于其上的絕緣膜的半導體襯底；

(ii)將根據權利要求1-10中任一項的厚膜組合物施加至所述一個或多個絕緣膜上以形成層狀結構；和

(iii)將所述半導體襯底、一個或多個絕緣膜和厚膜組合物燒結，從而形成與所述一個或多個絕緣層接觸且與所述半導體襯底電接觸的電極。

12.根據權利要求11的方法，其中將所述厚膜組合物以圖案形式施加至所述絕緣膜上。

13.一種制品，其包括：

a)半導體襯底；

b)位于所述半導體襯底上的一個或多個絕緣層；和

c)與所述一個或多個絕緣層接觸且與所述半導體襯底電接觸的電極，所述電極包含氧化鉍和銻氧化物。

14.根據權利要求13的方法，其中所述制品為太陽能電池。