[發明專利]一種同質結SnS納米線太陽能電池無效
| 申請號： | 201210566276.7 | 申請日： | 2012-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN103000713A | 公開（公告）日： | 2013-03-27 |
| 發明（設計）人： | 岳光輝;林友道;彭棟梁;陳遠志;文鑫;郭惠章;王來森 | 申請（專利權）人： | 廈門大學 |
| 主分類號： | H01L31/04 | 分類號： | H01L31/04;H01L31/0296 |
| 代理公司： | 廈門南強之路專利事務所 35200 | 代理人： | 馬應森 |
| 地址： | 361005 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 同質 sns 納米 太陽能電池 | ||
【權利要求書】：
1.一種同質結SnS納米線太陽能電池，其特征在于設有透明氧化銦錫導電薄膜層、同質結光活化層、絕緣封閉層、背電極層和Ti/Al金屬歐姆層，所述透明氧化銦錫導電薄膜層、同質結光活化層、絕緣封閉層、背電極層和Ti/Al金屬歐姆層依次相疊；
所述透明氧化銦錫導電薄膜層用于引出電極，同質結光活化層作為光活化層，絕緣封閉層用于將活化層與外界隔離，背電極層用于背面引出電極，Ti/Al金屬歐姆層作為引出電極；所述同質結光活化層由p-SnS層和n-SnS層組成。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
