[發(fā)明專利]一種阻變存儲(chǔ)器制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210564709.5
• 申請(qǐng)日: 2012-12-21
• 公開（公告）號(hào): CN103066205A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃如;陳誠(chéng);蔡一茂;張耀凱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;許偉群

1.一種阻變存儲(chǔ)器制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底上形成下電極；

在所述下電極上形成阻變層；

在所述阻變層上形成上電極，獲得阻變存儲(chǔ)器；

在所述阻變存儲(chǔ)器上施加預(yù)定電壓，所述預(yù)定電壓為使所述阻變存儲(chǔ)器由高阻態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥钁B(tài)的電壓；

對(duì)所述阻變存儲(chǔ)器執(zhí)行退火工藝，以使在所述阻變存儲(chǔ)器上施加所述預(yù)定電壓時(shí)所述阻變存儲(chǔ)器內(nèi)的弱導(dǎo)電通道減少。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

所述在所述下電極上形成阻變層，包括：

在所述下電極上形成厚度大于閾值的阻變層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述閾值為10nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述阻變存儲(chǔ)器上施加預(yù)定電壓，包括：

將所述下電極接地，在所述上電極上施加所述預(yù)定電壓的電壓脈沖。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述電壓脈沖的幅度大小為2V~4V，脈沖寬度范圍為500ns~1μs。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述退火工藝的溫度范圍為500°～600°C，退火時(shí)間為10min~20min。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述在襯底上形成下電極，包括：

在所述襯底表面上形成平行排列的多條下電極條。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述阻變層上形成上電極，包括：

在所述阻變層表面上形成平行排列的多條上電極條，且所述上電極條的延伸方向與所述下電極條的延伸方向交叉。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述上電極條與所述下電極條呈十字交叉。