[發明專利]一種電遷移可靠性測試結構

有效

• 申請號: 201210564557.9
• 申請日: 2012-12-24
• 公開（公告）號: CN103035619B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 儲佳
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/02
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,林彥之

1.一種電遷移可靠性測試結構，其特征在于，包括：

第一層金屬線，其包括第一金屬線，與所述第一金屬線平行且相隔一定距離的第二金屬線，垂直連接于所述第一金屬線和所述第二金屬線之間的第三金屬線；所述第三金屬線的一端連接所述第一金屬線的一個端點，另一端連接所述第二金屬線的一個端點；所述金屬線之間填充有絕緣介質；以及第二層金屬線，位于所述第一層金屬線上方，通過金屬通孔引出所述第一層金屬線以進行可靠性測試。

2.根據權利要求1所述的電遷移可靠性測試結構，其特征在于，所述第一金屬線與所述第三金屬線連接的端點相對于所述第三金屬線外側的偏移量為-20nm至100nm，以所述第三金屬線的內側向外側為正方向。

3.根據權利要求2所述的電遷移可靠性測試結構，其特征在于，所述第二金屬線與所述第三金屬線連接的端點相對于所述第三金屬線內側的偏移量為-20nm至100nm，以所述第三金屬線的外側向內側為正方向。

4.根據權利要求1所述的電遷移可靠性測試結構，其特征在于，所述第三金屬線的線寬為60nm至250nm。

5.根據權利要求1所述的電遷移可靠性測試結構，其特征在于，所述第三金屬線的長度為100nm至700nm。

6.根據權利要求1所述的電遷移可靠性測試結構，其特征在于，所述第一金屬線和/或所述第二金屬線的線寬為大于等于300nm。

7.根據權利要求1所述的電遷移可靠性測試結構，其特征在于，所述第三金屬線和所述第二金屬線的數量為2，以所述第一金屬線成中心對稱分布。

8.一種電遷移可靠性測試結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

淀積絕緣介質層；

在所述絕緣介質層中形成第一層金屬線；

以銅互連工藝在所述絕緣介質層上方形成金屬通孔及第二層金屬線，所述第二層金屬線通過所述金屬通孔將所述第一層金屬線引出以進行電遷移可靠性測試；

其中，所述第一層金屬線包括第一金屬線，與所述第一金屬線平行且相隔一定距離的第二金屬線，垂直連接于所述第一金屬線和所述第二金屬線之間的第三金屬線；所述第三金屬線的一端連接所述第一金屬線的一個端點，另一端連接所述第二金屬線的一個端點。