[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201210564245.8
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN103887343A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 謝振宇;徐少穎;李田生;閻長江;李靖;田宗民
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 武晨燕;張穎玲

1.一種薄膜晶體管，包括：基板、柵電極、有源層、源漏電極、像素電極及一個或多個絕緣層，其特征在于，至少一個絕緣層包括底層絕緣層及上層絕緣層，所述上層絕緣層中的氫含量高于所述底層絕緣層中的氫含量。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管，所述絕緣層包括：柵絕緣層、刻蝕阻擋層及保護層，所述刻蝕阻擋層包括底層刻蝕阻擋層及上層刻蝕阻擋層，所述上層刻蝕阻擋層中的氫含量高于所述底層刻蝕阻擋層中的氫含量。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述上層刻蝕阻擋層的氫含量為5％～10％，所述下層刻蝕阻擋層的氫含量為1％～5％。

4.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化物薄膜晶體管的具體結構包括：

柵電極，形成于基板的上方；

柵絕緣層，覆蓋于基板和柵電極的上方；

有源層，形成于柵絕緣層對應柵電極的上方；

底層刻蝕阻擋層，形成于有源層的上方；

上層刻蝕阻擋層，形成于底層刻蝕阻擋層的上方；

源漏電極，形成于上層刻蝕阻擋層的上方；

保護層，覆蓋于柵絕緣層、源漏電極及上層刻蝕阻擋層的上方；

像素電極，形成于源漏電極和保護層的上方。

5.如權利要求2～4任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述底層刻蝕阻擋層的厚度為200-1000埃，所述上層刻蝕阻擋層的厚度為1000-1500埃。

6.如權利要求2～4任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層由銦鎵鋅氧化物半導體或銦鋅氧化物半導體制成。

7.如權利要求2～4任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層通過磁控濺射的方式沉積。

8.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求1～7任一所述的薄膜晶體管。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求8所述的陣列基板。

10.一種薄膜晶體管的制作方法，包括：在基板上形成柵電極、有源層、源漏電極、一個或多個絕緣層及像素電極，其特征在于，至少一個絕緣層在形成時，依次形成底層絕緣層及上層絕緣層，使所述上層絕緣層中的氫含量高于所述底層絕緣層中的氫含量。

11.如權利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管，所述絕緣層包括刻蝕阻擋層，所述制作方法包括：依次在基板上形成柵電極、柵絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層、源漏電極、保護層及像素電極，形成所述刻蝕阻擋層時，依次形成底層刻蝕阻擋層及上層刻蝕阻擋層，使所述上層刻蝕阻擋層中的氫含量高于所述底層刻蝕阻擋層中的氫含量。

12.如權利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟a、在基板上形成柵電極；

步驟b、形成柵絕緣層，覆蓋于基板和柵電極上方；

步驟c、在柵絕緣層對應柵電極的上方形成有源層；

步驟d、在有源層上方形成底層刻蝕阻擋層；

步驟e、在底層刻蝕阻擋層上方形成上層刻蝕阻擋層；

步驟f、在上層刻蝕阻擋層上方形成源漏電極；

步驟g、形成保護層，覆蓋于柵絕緣層、源漏電極及上層刻蝕阻擋層上方；

步驟h、在源漏電極和保護層上方形成像素電極。

13.如權利要求11或12所述的制作方法，其特征在于，所述步驟d中，所述底層刻蝕阻擋層在200-300℃、300-800sccm的硅烷氣體流量下沉積；所述步驟e中，所述上層刻蝕阻擋層在240-340℃、600-1200sccm的硅烷氣體流量下沉積。

14.如權利要求11或12所述的制作方法，其特征在于，所述步驟d中，沉積所述底層刻蝕阻擋層的厚度為200-1000埃；所述步驟e中，沉積所述上層刻蝕阻擋層的厚度為1000-1500埃。

15.如權利要求11或12所述的制作方法，其特征在于，所述步驟c中，采用銦鎵鋅氧化物半導體或銦鋅氧化物半導體制成有源層。

16.如權利要求11或12所述的制作方法，其特征在于，所述步驟c中，通過磁控濺射的方式沉積所述有源層。