[發(fā)明專利]絕緣體上硅射頻器件及絕緣體上硅襯底

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210564175.6
• 申請(qǐng)日: 2012-12-21
• 公開（公告）號(hào): CN103022054A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李樂;許丹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，包括：

絕緣體上硅襯底，包括高電阻率硅基板、頂層硅及設(shè)置在所述高電阻率硅基板與頂層硅之間的埋入氧化層，所述頂層硅中至少形成有兩個(gè)有源區(qū)，相鄰兩個(gè)所述有源區(qū)被淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)隔離；

設(shè)置在所述絕緣體上硅襯底內(nèi)、數(shù)量至少為一個(gè)的第一凹坑，所述第一凹坑的開口設(shè)置在所述高電阻率硅基板的遠(yuǎn)離所述埋入氧化層的表面，所述第一凹坑沿著所述絕緣體上硅襯底的厚度方向延伸并至少貫穿所述高電阻率硅基板；

形成在所述頂層硅及淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上的金屬互連結(jié)構(gòu)，其包括形成在所述頂層硅及淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上的層間介質(zhì)層及位于所述層間介質(zhì)層上方的金屬層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，至少有一個(gè)所述第一凹坑設(shè)置在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)正下方。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)正下方的第一凹坑剛好貫穿所述高電阻率硅基板；或者，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)正下方的第一凹坑貫穿所述高電阻率硅基板及部分所述埋入氧化層；或者，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)正下方的第一凹坑貫穿所述高電阻率硅基板及所述埋入氧化層；或者，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)正下方的第一凹坑貫穿所述高電阻率硅基板、所述埋入氧化層及部分所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，至少有一個(gè)所述第一凹坑設(shè)置在所述有源區(qū)正下方。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，所述有源區(qū)正下方的第一凹坑剛好貫穿所述高電阻率硅基板；或者，所述有源區(qū)正下方的第一凹坑貫穿所述高電阻率硅基板及部分所述埋入氧化層；或者，所述有源區(qū)正下方的第一凹坑貫穿所述高電阻率硅基板及所述埋入氧化層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，所述第一凹坑的數(shù)量至少為兩個(gè)，至少有一個(gè)所述第一凹坑設(shè)置在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)正下方，至少有一個(gè)所述第一凹坑設(shè)置在所述有源區(qū)正下方。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，

所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)正下方的第一凹坑剛好貫穿所述高電阻率硅基板，或者，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)正下方的第一凹坑貫穿所述高電阻率硅基板及部分所述埋入氧化層，或者，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)正下方的第一凹坑貫穿所述高電阻率硅基板及所述埋入氧化層，或者，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)正下方的第一凹坑貫穿所述高電阻率硅基板、所述埋入氧化層及部分所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

所述有源區(qū)正下方的第一凹坑剛好貫穿所述高電阻率硅基板；或者，所述有源區(qū)正下方的第一凹坑貫穿所述高電阻率硅基板及部分所述埋入氧化層；或者，所述有源區(qū)正下方的第一凹坑貫穿所述高電阻率硅基板及所述埋入氧化層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，所述第一凹坑為通孔或溝槽。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，所述第一凹坑為通孔且其數(shù)量至少為兩個(gè)，相鄰兩個(gè)通孔間隔設(shè)置；或者，所述第一凹坑為溝槽且其數(shù)量至少為兩個(gè)，相鄰兩個(gè)溝槽間隔設(shè)置或交叉設(shè)置。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，所述第一凹坑內(nèi)填充有絕緣材料，或者，所述第一凹坑內(nèi)未填充材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，所述第一凹坑內(nèi)填充有絕緣材料，所述絕緣材料為氧化硅或氮化硅。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，還包括設(shè)置在所述絕緣體上硅襯底內(nèi)、數(shù)量至少為一個(gè)的第二凹坑，所述第二凹坑的開口設(shè)置在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)離所述埋入氧化層的表面，所述第二凹坑沿著所述絕緣體上硅襯底的厚度方向延伸，并貫穿所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)、埋入氧化層及部分所述高電阻率硅基板，所述第二凹坑內(nèi)填充有絕緣材料。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，所述絕緣材料為氧化硅或氮化硅。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，所述第二凹坑貫穿所述高電阻率硅基板厚度的百分之一至百分之九十。