[發(fā)明專利]低功耗芯片的性能測試方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210564167.1 | 申請日： | 2012-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN103064005A | 公開（公告）日： | 2013-04-24 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王磊 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/28 | 分類號： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功耗 芯片 性能 測試 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種低功耗芯片的性能測試方法，其特征在于，
采用高低電平的供電方式對所述芯片進行電源供給。
2.根據(jù)權利要求1所述的性能測試方法，其特征在于，所述低功耗芯片的工作電流小于10mA。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的性能測試方法，其特征在于，所述高低電平來自PE卡。
4.根據(jù)權利要求3所述的性能測試方法，其特征在于，所述PE卡受控于測試機。
5.根據(jù)權利要求4所述的性能測試方法，其特征在于，所述測試機向所述低功耗芯片提供高頻測試信號。
6.根據(jù)權利要求1所述的性能測試方法，其特征在于，性能測試過程中，對所述芯片施加多次不同的高電平。
7.根據(jù)權利要求1所述的性能測試方法，其特征在于，性能測試過程中，對所述芯片施加電平逐漸變高或變低的高電平。
8.根據(jù)權利要求7所述的性能測試方法，其特征在于，性能測試過程中，每相鄰兩次高電平的差值相等。
9.根據(jù)權利要求7所述的性能測試方法，其特征在于，性能測試過程中，隨著高電平的電平變高，相鄰兩次高電平的差值逐漸減小。
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