[發(fā)明專(zhuān)利]自加熱效應(yīng)的模型參數(shù)提取方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210564101.2
• 申請(qǐng)日: 2012-12-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103020371B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吉遠(yuǎn)倩
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06F17/50
• 分類(lèi)號(hào): G06F17/50
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種自加熱效應(yīng)的模型參數(shù)提取方法，其特征在于，包括：

提供采用SOI襯底的MOS晶體管及對(duì)應(yīng)的器件模型，所述器件模型具有自加熱效應(yīng)模型；

利用同一測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)生電壓值相同的第一脈沖漏極電壓和第二脈沖漏極電壓，利用第一脈沖漏極電壓對(duì)所述MOS晶體管進(jìn)行第一I-V特性測(cè)試，模擬不具有自加熱效應(yīng)的MOS晶體管，獲得第一I-V特性曲線(xiàn)，利用第二脈沖漏極電壓對(duì)所述MOS晶體管進(jìn)行第二I-V特性測(cè)試，模擬具有自加熱效應(yīng)的MOS晶體管，獲得第二I-V特性曲線(xiàn)；

將第一I-V特性曲線(xiàn)和不具有自加熱效應(yīng)模型的器件模型的模擬數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合，提取不具有自加熱效應(yīng)模型的器件模型的模型參數(shù)；

給出具有自加熱效應(yīng)模型的器件模型參數(shù)初始值，所述具有自加熱效應(yīng)模型的器件模型的參數(shù)初始值中關(guān)于自加熱效應(yīng)模型的模型參數(shù)為經(jīng)驗(yàn)值，其余模型參數(shù)為所述不具有自加熱效應(yīng)模型的器件模型的模型參數(shù)；

將第二I-V特性曲線(xiàn)和具有自加熱效應(yīng)模型的器件模型的模擬數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合，提取自加熱效應(yīng)模型的模型參數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的自加熱效應(yīng)的模型參數(shù)提取方法，其特征在于，還包括：將若干個(gè)具有不同脈沖持續(xù)時(shí)間的脈沖漏極電壓施加在所述MOS晶體管的漏極上，獲得對(duì)應(yīng)的漏極電流，并根據(jù)漏極電流的大小選擇第一脈沖漏極電壓和第二脈沖漏極電壓。

3.如權(quán)利要求2所述的自加熱效應(yīng)的模型參數(shù)提取方法，其特征在于，當(dāng)至少兩個(gè)脈沖漏極電壓的漏極電流相等且電流值最大時(shí)，其中脈沖持續(xù)時(shí)間最長(zhǎng)的脈沖漏極電壓對(duì)應(yīng)的脈沖持續(xù)時(shí)間為第一脈沖持續(xù)時(shí)間，脈沖持續(xù)時(shí)間小于或等于所述第一脈沖持續(xù)時(shí)間的脈沖漏極電壓為第一脈沖漏極電壓。

4.如權(quán)利要求2所述的自加熱效應(yīng)的模型參數(shù)提取方法，其特征在于，當(dāng)至少兩個(gè)脈沖漏極電壓的漏極電流相等且電流值最小時(shí)，其中脈沖持續(xù)時(shí)間最短的脈沖漏極電壓對(duì)應(yīng)的脈沖持續(xù)時(shí)間為第二脈沖持續(xù)時(shí)間，脈沖持續(xù)時(shí)間大于或等于所述第二脈沖持續(xù)時(shí)間的脈沖漏極電壓為第二脈沖漏極電壓。

5.如權(quán)利要求1所述的自加熱效應(yīng)的模型參數(shù)提取方法，其特征在于，采用全局優(yōu)化或局部?jī)?yōu)化將第一I-V特性曲線(xiàn)和不具有自加熱效應(yīng)模型的器件模型的模擬數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合，采用全局優(yōu)化或局部?jī)?yōu)化將第二I-V特性曲線(xiàn)和具有自加熱效應(yīng)模型的器件模型的模擬數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合。

6.如權(quán)利要求1所述的自加熱效應(yīng)的模型參數(shù)提取方法，其特征在于，利用最小二乘法的曲線(xiàn)擬合將第一I-V特性曲線(xiàn)和不具有自加熱效應(yīng)模型的器件模型的模擬數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合，利用最小二乘法的曲線(xiàn)擬合將第二I-V特性曲線(xiàn)和具有自加熱效應(yīng)模型的器件模型的模擬數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合。

7.如權(quán)利要求1所述的自加熱效應(yīng)的模型參數(shù)提取方法，其特征在于，將不具有自加熱效應(yīng)模型的器件模型的模擬數(shù)據(jù)和第一I-V特性曲線(xiàn)進(jìn)行比較，如果不一致，則修改模型參數(shù)，直到所述不具有自加熱效應(yīng)模型的器件模型的模擬數(shù)據(jù)和第一I-V特性曲線(xiàn)相擬合；將具有自加熱效應(yīng)模型的器件模型的模擬數(shù)據(jù)和第二I-V特性曲線(xiàn)進(jìn)行比較，如果不一致，則修改模型參數(shù)，直到所述具有自加熱效應(yīng)模型的器件模型的模擬數(shù)據(jù)和第二I-V特性曲線(xiàn)相擬合。

8.如權(quán)利要求1所述的自加熱效應(yīng)的模型參數(shù)提取方法，其特征在于，所述第一I-V特性曲線(xiàn)和第二I-V特性曲線(xiàn)為漏極電流和漏極電壓的I-V特性曲線(xiàn)。

9.如權(quán)利要求1所述的自加熱效應(yīng)的模型參數(shù)提取方法，其特征在于，所述器件模型為HiSIMSOI模型或BSIMSOI模型。

10.如權(quán)利要求1所述的自加熱效應(yīng)的模型參數(shù)提取方法，其特征在于，所述采用SOI襯底的MOS晶體管為體引出結(jié)構(gòu)器件或浮體結(jié)構(gòu)器件。