[發明專利]疊柵式快閃存儲器的制作方法

有效

• 申請號: 201210564088.0
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN103021868A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 張雄
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種疊柵式快閃存儲器的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成具有開口的膜層，所述開口定義疊柵結構的空間；

在所述開口中形成隧穿介質層、位于所述隧穿介質層上的浮柵、位于所述浮柵上的柵間介質層、位于所述柵間介質層上的控制柵；

去除所述膜層，在所述隧穿介質層、浮柵、柵間介質層和控制柵周圍形成第一側墻；

形成第一側墻后，在所述隧穿介質層、浮柵、柵間介質層和控制柵兩側的襯底中形成源極、漏極。

2.根據權利要求1所述的疊柵式快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述位于所述隧穿介質層上的浮柵的形成方法包括：

在隧穿介質層和膜層表面形成浮柵層；

去除高于膜層表面的浮柵層，回刻剩余的浮柵層形成浮柵。

3.根據權利要求2所述的疊柵式快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述去除高于膜層表面的浮柵層的方法為化學機械拋光，所述回刻為等離子刻蝕。

4.根據權利要求1所述的疊柵式快閃存儲器的制作方法，其特征在于，位于所述浮柵上的柵間介質層、位于所述柵間介質層上的控制柵的形成方法包括：

在浮柵表面和膜層表面依次形成介質層和控制柵層；

去除高于膜層表面的介質層和控制柵層，形成柵間介質層和控制柵。

5.根據權利要求1所述的疊柵式快閃存儲器的制作方法，其特征在于，位于所述浮柵上的柵間介質層、位于所述柵間介質層上的控制柵的形成方法包括：

在浮柵表面和膜層表面依次形成介質層和控制柵層；

去除高于膜層表面的介質層和控制柵層、去除浮柵上的部分控制柵層，形成柵間介質層和控制柵。

6.根據權利要求4或5所述的疊柵式快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述去除高于膜層表面的介質層和控制柵層的方法為化學機械拋光。

7.根據權利要求5所述的疊柵式快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述去除浮柵上的部分控制柵層的方法為等離子刻蝕。

8.根據權利要求3或7所述的疊柵式快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述等離子刻蝕為光干涉終點檢測等離子刻蝕。

9.根據權利要求1所述的疊柵式快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述隧穿介質層的材料為氧化硅，形成隧穿介質層的方法為熱氧化。

10.根據權利要求1所述的疊柵式快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述浮柵和控制柵的材料為多晶硅。

11.根據權利要求1所述的疊柵式快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述膜層為氮化硅。

12.根據權利要求1所述的疊柵式快閃存儲器的制作方法，其特征在于，在所述開口中形成隧穿介質層之前還包括步驟：在所述開口側壁形成第二側墻，所述第二側墻的材料為氧化硅。

13.根據權利要求1所述的疊柵式快閃存儲器的制作方法，其特征在于，在所述半導體襯底上形成具有開口的膜層的方法包括：

在所述襯底上沉積膜層；

在所述膜層上經光刻形成圖形化的掩膜層；

以所述圖形化的掩膜層為掩膜刻蝕所述膜層至露出半導體襯底。

14.根據權利要求13所述的疊柵式快閃存儲器的制作方法，其特征在于，形成所述開口之后繼續刻蝕部分半導體襯底以形成凹槽，所述凹槽的深度小于所述疊柵結構兩側的源極、漏極的結深。