[發明專利]一種TFT陣列基板的制造方法及TFT陣列基板

有效

• 申請號: 201210564004.3
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN103280429A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 周思思
• 申請（專利權）人: 上海中航光電子有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及平板顯示技術，特別涉及一種TFT陣列基板的制造方法及TFT陣列基板。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，TFT-LCD）由于具有微功耗、低工作電壓、無X射線輻射、高清晰度、小體積等優點，目前廣泛應用于手機、掌上電腦（Personal?Digital?Assistant,PDA）等便攜式電子產品中。在市場競爭的推動下，更輕便、顯示效果更優越、價格更低的薄膜晶體管液晶顯示受到了越來越多的追捧。將非晶硅柵驅動器與有源矩陣集成(amorphous?silicon?gate，ASG)的技術可以使薄膜晶體管液晶顯示器減少一顆驅動IC，可以有效地使顯示屏變的更輕、降低成本，并且可以增加顯示器的可靠性。因此，近年來ASG技術逐步成為開發研究的熱點。

采用ASG技術的陣列基板通常包括：顯示區域、包圍所述顯示區域的周邊區域和位于所述周邊區域內的柵極驅動電路。其中，在所述顯示區域內設置有多個薄膜晶體管。

如圖1所示，所述薄膜晶體管包括：形成于基板100上的作為柵極的第一金屬層101、形成于所述第一金屬層101上的柵極絕緣層102、形成于所述柵極絕緣層102上的作為源漏極的第二金屬層103、形成于所述第二金屬層103上的鈍化層104以及形成于所述鈍化層104上的像素電極105。其中，所述鈍化層104上形成有第一通孔106，所述像素電極105通過所述第一通孔106與所述第二金屬層103實現電連接。

如圖2所示，所述柵極驅動電路包括：形成于所述基板100上的所述第一金屬層101、形成于第一金屬層101上的所述柵極絕緣層102、形成于所述柵極絕緣層102上的第二金屬層103以及形成于所述第二金屬層103上的所述鈍化層104。所述柵極絕緣層102上形成有第二通孔107，所述第二金屬層103通過所述第二通孔107與所述第一金屬層101電連接。

通常，所述鈍化層104上的第一通孔106和所述柵極絕緣層102上的第二通孔107是采用不同的掩膜版光刻完成的，而為了制作所述薄膜晶體管的第一金屬層101、第二金屬層103、半導體有源層以及像素電極105還需要4張不同的掩膜版。可見，為了完成ASG技術的陣列基板，總共需要使用6張掩模版。眾所周知，掩模版的設計研發和制作周期長、費用高，而且每一套掩模版進入生產場所后，還需要進行相應的維護和存放，也就是說每多一套掩模版就會造成生產成本的上升。為此需要開發減少掩模版使用數量的陣列基板。

發明內容

本發明提供一種TFT陣列基板的制造方法及TFT陣列基板，以減少掩模版使用數量，從而實現降低生產成本的目的。

為解決上述技術為題，本發明提供一種TFT陣列基板的制造方法，包括：

步驟一：提供一基板，所述基板包括顯示區域和包圍所述顯示區域的周邊區域；

步驟二：在所述基板上形成第一金屬層，使用第一掩模版對所述第一金屬層進行光刻，形成第一金屬圖案；

步驟三：在所述基板和第一金屬圖案上形成第一絕緣層，使用第二掩模版對所述第一絕緣層進行光刻，在所述顯示區域的第一絕緣層上形成第一通孔，并在所述周邊區域的第一絕緣層上形成第二通孔，所述第二通孔暴露部分所述第一金屬圖案；

步驟四：在所述第一絕緣層上、第一通孔和第二通孔內形成第二金屬層，使用第三掩模版對所述第二金屬層進行光刻，形成第二金屬圖案，所述第二金屬圖案通過所述第二通孔與所述第一金屬圖案電連接；

步驟五：在所述第一絕緣層、第二金屬圖案上形成第二絕緣層，使用所述第二掩模版對所述第二絕緣層進行光刻，以在所述顯示區域的第二絕緣層上形成第三通孔，并在所述周邊區域的第二絕緣層上形成第四通孔，所述第三通孔暴露部分所述第二金屬圖案，所述第四通孔暴露部分所述第二金屬圖案；

步驟六：在所述第二絕緣層上、第三通孔和第四通孔內形成透明電極層，使用第四掩模版對所述透明電極層進行光刻以在所述顯示區域內形成透明電極圖案，所述透明電極圖案通過所述第三通孔與所述第二金屬圖案電連接。

可選的，在所述TFT陣列基板的制造方法中，所述步驟六之后還包括：在所述透明電極圖案、第二絕緣層、第二金屬圖案上以及第四通孔內形成保護層。

可選的，在所述TFT陣列基板的制造方法中，保護層為氮化硅或者有機膜。

可選的，在所述TFT陣列基板的制造方法中，所述有機膜為聚酰亞胺。