[發(fā)明專利]一種三維多芯片組件板間垂直過渡結(jié)構(gòu)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210563981.1 | 申請日： | 2012-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN103035616A | 公開（公告）日： | 2013-04-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王磊;殷曉星;趙洪新 | 申請（專利權(quán)）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211189 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 三維 芯片 組件 垂直 過渡 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種三維多芯片組件板間垂直過渡結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)包括環(huán)氧樹脂制成的三維組件模塊（1）、封裝在所述三維組件模塊（1）內(nèi)的上層電路板（2）和下層電路板（3）、敷設在所述三維組件模塊（1）表面的金屬層（4）、在所述金屬層（4）上刻蝕出的共面波導（5），所述上層電路板（2）平行設置于下層電路板（3）的上方，所述共面波導（5）豎向設置在三維組件模塊（1）的側(cè)面且垂直于上層電路板（2）和下層電路板（3）；
所述上層電路板（2）下側(cè)設置有上層微帶線地（21）、上側(cè)設置有上層微帶線導帶（22），所述上層微帶線地（21）一端設置有缺口（23），所述下層電路板（3）下側(cè)設置有下層微帶線地（31）、上側(cè)設置有下層微帶線導帶（32），所述共面波導（5）包括位于三維組件模塊（1）側(cè)面的共面波導中心導帶（51）和位于所述共面波導中心導帶（51）兩側(cè)的共面波導地（52），所述共面波導地（52）與共面波導中心導帶（51）之間由兩條槽線隔開，共面波導中心導帶（51）的下端與下層微帶線導帶（32）短接，上端與上層微帶線導帶（22）連接，并隔著缺口（23）與上層微帶線地（21）的一端相對。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維多芯片組件板間垂直過渡結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述共面波導地（52）分別與上層微帶線地（21）和下層微帶線地（31）連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的三維多芯片組件板間垂直過渡結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述共面波導中心導帶（51）的寬度比上層微帶線導帶（22）和下層微帶線導帶（32）的寬度都要大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維多芯片組件板間垂直過渡結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述共面波導中心導帶（51）和共面波導地（52）上均刻蝕有無源電路。
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