[發(fā)明專利]一種圖像傳感器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210563978.X
• 申請(qǐng)日: 2012-12-21
• 公開（公告）號(hào): CN103887316A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 凌嚴(yán)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 馬曉亞

1.一種圖像傳感器，包括：

基板；

頂電極層；

光電二極管結(jié)構(gòu)層，設(shè)置于所述基板和所述頂電極層之間

底電極層，設(shè)置于所述基板和所述光電二極管結(jié)構(gòu)層之間；以及

調(diào)節(jié)層，形成于所述頂電極層之上，其中該調(diào)節(jié)層對(duì)入射的光進(jìn)行吸收，從而調(diào)節(jié)所述圖像傳感器的光電轉(zhuǎn)換效率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，該調(diào)節(jié)層覆蓋全部光電二極管結(jié)構(gòu)層區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，該調(diào)節(jié)層覆蓋光電二極管結(jié)構(gòu)層區(qū)域的周邊區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，該調(diào)節(jié)層由以下材料中的至少一種制成：n摻雜非晶硅，p摻雜非晶硅，Mo，Al，氮化硅，有機(jī)膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器，其特征在于，該圖像傳感器還包括遮光層，并且該遮光層與該調(diào)節(jié)層集成到一起。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，該頂電極層是由ITO制成的透明電極層；而底電極由金屬制成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，其特征在于，所述圖像傳感器進(jìn)一步包括在頂電極層之上的公共電極層，該公共電極層是不透光的金屬層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器，其特征在于，該調(diào)節(jié)層與該公共電極層集成到一起。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述光電二極管結(jié)構(gòu)層是PIN結(jié)或PN結(jié)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述圖像傳感器為X射線圖像傳感器。

11.一種圖像傳感器，包括：

基板以及位于所述基板上的光傳感器陣列；

所述光傳感器陣列包括多條掃描線，與所述多條掃描線絕緣交叉的多條數(shù)據(jù)線，設(shè)置于相鄰掃描線和相鄰數(shù)據(jù)線所圍成的像素區(qū)域的光傳感器和開關(guān)單元；

所述光傳感器陣列還包括設(shè)置于所述光傳感器上的光調(diào)節(jié)層，調(diào)節(jié)所述光傳感器的光電轉(zhuǎn)換效率。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的圖像傳感器，其特征在于，所述圖像傳感器為X射線圖像傳感器。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的圖像傳感器，其特征在于，所述開關(guān)單元為薄膜晶體管，所述光傳感器為光電二極管。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的圖像傳感器，其特征在于，所述薄膜晶體管的柵極與所述掃描線電連接，所述薄膜晶體管的源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線電連接，所述薄膜晶體管的漏極/源極與所述光電二級(jí)管電連接。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的圖像傳感器，其特征在于，所述光電二極管在遠(yuǎn)離所述基板的方向上依次包括底電極、光電二極管結(jié)構(gòu)層、頂電極；所述薄膜晶體管的漏極/源極與所述光電二級(jí)管的底電極電連接。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的圖像傳感器，其特征在于，所述薄膜晶體管包括依次位于所述基板上的柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極、鈍化層。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的圖像傳感器，其特征在于，所述薄膜晶體管的柵極與所述掃描線位于同一層；所述薄膜晶體管的源極和漏極、所述數(shù)據(jù)線和所述光電二極管的底電極位于同一層；所述光電二極管的底電極通過貫穿所述鈍化層的過孔與所述光電二極管結(jié)構(gòu)層連接。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的圖像傳感器，其特征在于，所述光電二極管結(jié)構(gòu)層為PIN結(jié)或PN結(jié)。

19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的圖像傳感器，其特征在于，所述光傳感器陣列還包括覆蓋所述掃描線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和光電二極管的介質(zhì)層；所述介質(zhì)層具有暴露出所述光電二極管頂電極的過孔；所述光傳感器陣列還包括覆蓋所述介質(zhì)層并通過所述過孔與所述光電二極管頂電極連接的公共電極層。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的圖像傳感器，其特征在于，所述公共電極層采用不透光材料，所述圖像傳感器還包括與所述公共電極層位于同一層并遮蓋所述薄膜晶體管的溝道的遮光層；所述光調(diào)節(jié)層與所述公共電極層位于同一層并覆蓋所述光電二極管的周邊區(qū)域。