[發明專利]一種發光二極管的芯片及該芯片的制備方法

有效

• 申請號: 201210563894.6
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN103050600A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 張威;徐瑾;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管的芯片，所述芯片包括襯底層、依次覆蓋在所述襯底層上的N型層、發光層、P型層和透明導電層、以及分別在所述N型層和所述P型層上引出的N電極和P電極，其特征在于，

所述芯片還包括覆蓋在所述襯底層的底面和/或所述透明導電層的上表面的透明介質層，覆蓋在所述襯底層的底面的所述透明介質層的折射率高于所述襯底層的折射率，覆蓋在所述透明導電層的上表面的所述透明介質層的折射率高于所述透明導電層的折射率；所述覆蓋在所述襯底層的底面的所述透明介質層包括若干從所述襯底層的底面延伸出的凸起，所述覆蓋在所述透明導電層的上表面的透明介質層包括若干從所述透明導電層的上表面延伸出的凸起。

2.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，每一個所述凸起的高度為0.5~3μm，每一個所述凸起的外接圓的直徑為0.5~5μm，相鄰所述凸起之間的間距為0.5~10μm。

3.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，每一個所述凸起的側壁與所述襯底層的底面或所述透明導電層的上表面之間形成的銳角為30~70度。

4.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述透明介質層上設有反射層。

5.一種發光二極管的芯片的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟1、提供襯底層，并依次在所述襯底層上生長N型層、發光層、P型層和透明導電層；

步驟2、制備晶圓；

步驟3、對所述晶圓進行裂片操作，得到芯片；

其中，所述制備晶圓，包括：

分別在所述N型層和所述P型層上設置N電極和P電極，并在所述透明導電層上沉積鈍化層，在所述襯底層的底面形成由折射率高于所述襯底層的透明介質制成的透明介質層，得到晶圓；或者

在所述透明導電層的上表面形成由折射率高于所述透明導電層的透明介質制成的透明介質層，分別在所述N型層和所述P型層上設置N電極和P電極，并在所述透明介質層上沉積鈍化層，得到晶圓；或者

在所述透明導電層的上表面形成由折射率高于所述透明導電層的透明介質制成的透明介質層，分別在所述N型層和所述P型層上設置N電極和P電極，并在所述透明介質層上沉積鈍化層，在所述襯底層的底面形成由折射率高于所述襯底層的透明介質制成的透明介質層，得到晶圓；

其中，覆蓋在所述襯底層的底面的所述透明介質層包括若干從所述襯底層的底面延伸出的凸起，覆蓋在所述透明導電層的上表面的透明介質層包括若干從所述透明導電層的上表面延伸出的凸起。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底層的底面形成由折射率高于所述襯底層的透明介質制成的透明介質層，包括：

在所述鈍化層表面形成保護層；

在所述襯底層的底面蒸發一層折射率高于所述襯底層的透明介質層；

采用光刻膠對所述透明介質層的底面進行光刻操作，以在所述透明介質層的底面形成若干預定圖形；

采用刻蝕機刻蝕所述透明介質層的底面的所述預定圖形，使刻蝕后的所述透明介質層包括若干從所述襯底層的底面延伸出的相互獨立的凸起；

清洗去除刻蝕后的殘余光刻膠及所述保護層。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述透明導電層的上表面形成由折射率高于所述透明導電層的透明介質制成的透明介質層，包括：

在所述透明導電層的上表面蒸發一層折射率高于所述透明導電層的透明介質層；

采用光刻膠對所述透明介質層的上表面進行光刻操作，以在所述透明介質層的上表面形成若干預定圖形；

采用刻蝕機刻蝕所述透明介質層的上表面的所述預定圖形，使刻蝕后的所述透明介質層包括若干從所述透明導電層的上表面延伸出的相互獨立的凸起；

清洗去除刻蝕后的殘余光刻膠，并進行N區刻蝕。