[發明專利]有機發光裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201210563748.3 | 申請日: | 2012-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN103187429A | 公開(公告)日: | 2013-07-03 |
| 發明(設計)人: | 南棟熙;李煐九;金禧鎮;李學旻 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光裝置,包括:
基板,所述基板被劃分為第一像素至第三像素,并且由所述第一像素至第三像素限定;
第一電極和第二電極,所述第一電極設置在所述基板上,所述第二電極面對所述第一電極,并且所述第二電極與所述第一電極間隔開;
第一發光層和第二發光層,所述第一發光層和所述第二發光層設置在第一電極與第二電極之間,并且分別設置在所述第一像素和第二像素中;
副發光層和第三發光層,所述副發光層和所述第三發光層以這個順序遍布所述第一像素至所述第三像素設置,并且設置在所述第一發光層和所述第二發光層上;
第一公共層,所述第一公共層設置在所述第一電極與包括所述第一發光層和所述第二發光層的層之間;和
第二公共層,所述第二公共層設置在所述第三發光層與所述第二電極之間。
2.根據權利要求1所述的有機發光裝置,其中所述副發光層和所述第三發光層包含使光有同樣顏色的摻雜劑。
3.根據權利要求2所述的有機發光裝置,其中所述副發光層中包含的基質材料的空穴遷移率高于所述第三發光層中包含的基質材料的空穴遷移率。
4.根據權利要求2所述的有機發光裝置,其中所述副發光層的基質材料具有2.7eV或更高的三重態能級。
5.根據權利要求2所述的有機發光裝置,其中所述副發光層中包含的基質材料具有1.0×10-7cm2/s·V或更高的空穴遷移率以及1.0×10-7cm2/s·V或更高的電子遷移率。
6.根據權利要求2所述的有機發光裝置,其中所述副發光層中包含的基質材料的LUMO和HOMO能級分別與所述第三發光層中包含的LUMO和HOMO能級相差在0.5eV或更少的范圍內。
7.根據權利要求2所述的有機發光裝置,其中所述摻雜劑基于包含在其中的基質材料的量,以低于0.5%的量包含在所述副發光層中。
8.根據權利要求7所述的有機發光裝置,其中所述摻雜劑基于包含在其中的基質材料的量,以4%至6%的量包含在所述第三發光層中。
9.根據權利要求1所述的有機發光裝置,其中所述第一發光層是紅光發光層,所述第二發光層是綠光發光層,而所述第三發光層是藍光發光層。
10.根據權利要求1所述的有機發光裝置,其中所述第一公共層、所述第一發光層和所述第二發光層由可溶性物質形成。
11.根據權利要求10所述的有機發光裝置,其中所述副發光層、所述第三發光層和所述第二公共層由小分子有機材料形成。
12.根據權利要求1所述的有機發光裝置,其中所述基板包含薄膜晶體管陣列,所述薄膜晶體管陣列包括每個像素中的與所述第一電極相連的薄膜晶體管。
13.一種有機發光裝置的制造方法,包括:
準備基板,所述基板被劃分為第一像素至第三像素并由所述第一像素至第三像素限定;
在所述基板上形成第一電極;
通過溶液加工工藝在所述第一電極上形成第一公共層;
通過溶液加工工藝,在所述第一公共層上,在所述第一像素和第二像素中分別形成第一發光層和第二發光層;
通過蒸鍍工藝,遍布所述第一像素至第三像素相繼形成副發光層、第三發光層和第二公共層,以使它們覆蓋所述第一發光層和所述第二發光層;和
在所述第二公共層上形成第二電極。
14.根據權利要求13所述的方法,其中,用于形成所述第一公共層、所述第一發光層和所述第二發光層的所述溶液加工工藝選自噴墨印刷、噴嘴印刷、轉印、狹縫涂覆、照相凹版印刷和熱噴印刷。
15.根據權利要求13所述的方法,其中所述副發光層、所述第三發光層和所述第二公共層的形成通過相繼沉積組成各層的小分子有機材料來完成。
16.根據權利要求13所述的方法,其中所述副發光層和所述第三發光層包含呈現具有同樣顏色的光的摻雜劑,以及
基于其中包含的基質材料的量,所述副發光層和所述第三發光層中包含的摻雜劑的量分別為低于0.5%,和4%至6%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





