[發明專利]光耦合裝置

有效

• 申請號: 201210563711.0
• 申請日: 2012-12-24
• 公開（公告）號: CN103885137B
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: 唐華藝
• 申請（專利權）人: 南安市威速電子科技有限公司
• 主分類號: G02B6/42
• 分類號: G02B6/42;G02F1/035
• 代理公司: 深圳市蘭鋒知識產權代理事務所(普通合伙)44419
• 代理人: 曹明蘭

1.一種光耦合裝置，其包括一個基底、一個平板光波導、一個介質光柵、一對條狀的第一電極及一對條狀的第二電極；該基底包括一個頂面及一個與該頂面相背的底面；該平板光波導形成于該頂面上，該介質光柵形成于該平板光波導上，該對第一電極位于該光波導上且包括一個第一調制電極及一個第一地電極；該第一調制電極及該第一地電極位于該介質光柵兩側；該第二電極包括一個覆蓋于該介質光柵上的第二調制電極及一個設置于該底面與該第二調制電極相背的第二地電極；該平板光波導用于與一個激光光源對接以接收該激光光源發出的激光束；該介質光柵沿平行于該激光束的入射方向設置，并與該平板光波導構成一個衍射型光波導透鏡以會聚該激光束；該對第一電極用于加載第一調制電場以通過電光效應改變平板光波導相對于激光束中的橫電波的折射率；該對第二電極用于加載第二調制電場以通過電光效應改變平板光波導相對于激光束中的橫磁波的折射率。

2.如權利要求1所述的光耦合裝置，其特征在于，該光耦合裝置還包括設置于該介質光柵與該第二調制電極之間的緩沖層，該緩沖層用來防止光波被該第二調制電極所吸收。

3.如權利要求2所述的光耦合裝置，其特征在于，該緩沖層采用二氧化硅制成。

4.如權利要求1所述的光耦合裝置，其特征在于，該基底的材料采用鈮酸鋰晶體。

5.如權利要求1所述的光耦合裝置，其特征在于，該基底基本呈矩形，還包括一個與該頂面連接的側面，該平板光波導通過向該頂面鍍上金屬鈦后高溫將金屬鈦擴散入該基底而形成；該平板光波導為矩形，該頂面即為該平板光波導的頂面，該側面為該平板光波導的側面。

6.如權利要求5所述的光耦合裝置，其特征在于，該介質光柵通過蝕刻該平板光波導的頂面而形成。

7.如權利要求5所述的光耦合裝置，其特征在于，該介質光柵是一個啁啾光柵，其包括多個矩形的、平行設置的介質部分，該多個介質部分垂直于該側面設置，且高度基本相同；該多個介質部分的數目為奇數，并關于一個對稱軸對稱分布，且沿該對稱軸到遠離該對稱軸的方向，該介質部分的寬度越來越小，而相鄰兩個該介質部分的間隙也越來越小。

8.如權利要求7所述的光耦合裝置，其特征在于，該介質光柵的寬度方向為x軸，該對稱軸與x軸的相交點為原點，沿該對稱軸到遠離該對稱軸的方向為x軸正向，以該激光束在x處與原點處的相位差為y軸，根據平板光波導波動理論可得：其中x＞0，則該介質光柵的第n個邊界x_n滿足如下條件：其中，n為正整數，y_n＝nπ，a及k為常數與該衍射型光波導透鏡的焦距相關。

9.如權利要求1所述的光耦合裝置，其特征在于，該對第一電極的長度及高度大于或者等于該介質光柵的長度及高度。