[發(fā)明專利]一種基于深N阱結構的垮芯片保護環(huán)電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210563690.2 | 申請日： | 2012-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN103887284A | 公開（公告）日： | 2014-06-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | 董浩然;崔葛;沈紅偉 | 申請（專利權）人： | 北京中電華大電子設計有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L23/58 | 分類號： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100102 北京市朝陽*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 結構 芯片 保護環(huán) 電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于深N阱結構的垮芯片保護環(huán)電路，其特征在于該電路由P型襯底、深N阱、N阱組成，在P型襯底中形成深N阱埋層，深N阱兩端通過N阱延伸至P型襯底表面；N型擴散區(qū)注入到N阱中，并通過歐姆接觸與金屬連接，形成電阻兩端；該電路實現芯片內部信號與劃片槽傳輸信號連接，有效避開芯片保護環(huán)物理結構，避免破壞芯片保護環(huán)和芯片。
2.如權利要求1所述的電路，其特征在于所傳送信號通過金屬與N型擴散區(qū)注入N阱，沿深N阱路徑傳輸到另一側N阱，經另一側N型擴散區(qū)和另一側金屬輸出。
3.如權利要求1所述的電路，，其特征在于所述深N阱具有對稱結構，電阻寬度、長度可以根據所傳送信號要求進行調整。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京中電華大電子設計有限責任公司，未經北京中電華大電子設計有限責任公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210563690.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
