[發明專利]反應腔室及具有其的等離子體設備

有效

• 申請號: 201210563098.2
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN103887137A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 鄭金果
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成;黃德海

1.一種反應腔室，其特征在于，包括：

腔室本體；

基座，所述基座沿豎向在第一位置和位于所述第一位置之下的第二位置之間可移動地設在所述腔室本體內且所述基座的頂部適于承載晶片，所述基座內形成有沿著所述豎直方向貫穿所述基座的氣體給送通路，以將工藝氣體供給至所述基座的表面；

壓緊件，所述壓緊件形成有內孔，且所述壓緊件設置成在所述基座移動到所述第一位置時所述壓緊件的內周邊壓緊所述晶片的外邊緣。

2.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述基座的周向邊緣形成有環形凸起，用于支撐所述晶片。

3.根據權利要求2所述的反應腔室，其特征在于，所述基座的上表面形成有氣體流道，所述氣體流道與所述氣體給送通路相連通。

4.根據權利要求3所述的反應腔室，其特征在于，所述氣體流道包括：

環形槽，所述環形槽分布在所述基座的邊緣且位于所述環形凸起之內；

多個分支槽，所述多個分支槽中的每一個的第一端與所述氣體給送通路相連通，且每個所述分支槽的第二端與所述環形槽相連通。

5.根據權利要求4所述的反應腔室，其特征在于，所述多個分支槽沿所述環形槽的周向均勻地分布在所述基座的上表面上。

6.根據權利要求4所述的反應腔室，其特征在于，所述環形槽包括第一子環形槽和第二子環形槽，所述第二子環形槽的直徑大于所述第一子環形槽的直徑，且所述第二子環形槽和所述第一子環形槽同心設置，每個所述分支槽的第一端與所述氣體給送通路相連通且第二端與所述第二子環形槽相連通，每個所述分支槽貫穿所述第一子環形槽。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的反應腔室，其特征在于，還包括：

支撐裝置，所述支撐裝置設置成將所述晶片支撐在所述基座的所述第一位置和第二位置之間，且在所述基座上升的過程中，所述基座從所述支撐裝置上接收并支撐所述晶片以將所述晶片上升至所述第一位置。

8.根據權利要求7所述的反應腔室，其特征在于，所述支撐裝置包括：

支撐體，所述支撐體沿著所述豎向可升降；

多個支撐件，所述多個支撐件設置在所述支撐體上且頂部適于支撐所述晶片。

9.根據權利要求8所述的反應腔室，其特征在于，所述支撐體為環形，所述支撐體與所述基座同軸設置且所述基座沿著所述豎向在所述支撐體內可升降。

10.根據權利要求8所述的反應腔室，其特征在于，所述多個支撐件的頂部沿著外周邊分別形成有第一凸起部，且所述第一凸起部形成有朝向內的第一斜面；以及

所述壓緊件構造為壓緊環，且所述壓緊環的下表面形成有沿著周向形成的第二凸起部，且所述第二凸起部形成朝向外的第二斜面，以與所述第一斜面配合，以軸向定位所述壓緊環。

11.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，通過所述氣體給送通路所輸入的工藝氣體的充入量與所述壓緊件的重量及所述晶片可承受的彎曲變形量相關聯。

12.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，輸入所述氣體給送通路中的所述工藝氣體通過調壓閥來控制。

13.根據權利要求12所述的反應腔室，其特征在于，所述工藝氣體用于冷卻或者加熱所述晶片。

14.一種等離子體設備，其特征在于，包括根據權利要求1-13中任一項所述的反應腔室。