[發明專利]有機發光器件及其制造方法有效
| 申請號: | 201210562998.5 | 申請日: | 2012-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN103187539A | 公開(公告)日: | 2013-07-03 |
| 發明(設計)人: | 南棟熙;李煐九;金禧鎮;李學旻 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;張旭東 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光器件,所述有機發光器件包括:
被劃分為第一像素、第二像素和第三像素并且由所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素限定的基板;
布置在所述基板上的第一電極和面對所述第一電極的第二電極,所述第二電極與所述第一電極隔開;
在所述第一電極和所述第二電極之間,分別布置在所述第一像素和所述第二像素中的第一發光層和第二發光層;
布置在所述第一發光層和所述第二發光層上的第一三重態激子約束層、第三發光層和第二三重態激子約束層,所述第一三重態激子約束層、所述第三發光層和所述第二三重態激子約束層按此順序被布置在所述第一像素、所述第二像素以及所述第三像素上方;
布置在包括所述第一發光層和所述第二發光層的層與所述第一電極之間的第一公共層;以及
布置在所述第二三重態激子約束層和所述第二電極之間的第二公共層。
2.根據權利要求1所述的有機發光器件,其中,所述第一三重態激子約束層和所述第二三重態激子約束層具有1.0×10-8cm2/s·V或者更大的電子遷移率和1.0×10-8cm2/s·V或者更大的空穴遷移率。
3.根據權利要求2所述的有機發光器件,其中,所述第一三重態激子約束層的LUMO和HOMO能級與所述第三發光層中包括的宿主和摻雜物的LUMO和HOMO能級相差0.5eV或者更小,并且
所述第二三重態激子約束層的LUMO和HOMO能級與所述第三發光層中包括的宿主和摻雜物的LUMO和HOMO能級相差0.5eV或者更小。
4.根據權利要求3所述的有機發光器件,其中,所述第一三重態激子約束層和所述第二三重態激子約束層的三重態能級高于所述第一發光層、所述第二發光層和所述第三發光層各自的摻雜物的三重態能級。
5.根據權利要求1所述的有機發光器件,其中,所述第一三重態激子約束層具有1nm到15nm的厚度。
6.根據權利要求1所述的有機發光器件,其中,所述第二三重態激子約束層具有1nm到5nm的厚度。
7.根據權利要求1所述的有機發光器件,其中,所述第一三重態激子約束層和所述第二三重態激子約束層由低分子有機材料形成。
8.根據權利要求1所述的有機發光器件,其中,所述第一發光層是紅光發光層,所述第二發光層是綠光發光層,所述第三發光層是藍光發光層。
9.根據權利要求1所述的有機發光器件,其中,所述第一公共層、所述第一發光層和所述第二發光層由溶液材料形成。
10.根據權利要求1所述的有機發光器件,其中,所述基板包括薄膜晶體管陣列,所述薄膜晶體管陣列包括連接到各個像素中的所述第一電極的薄膜晶體管。
11.一種用于制造有機發光器件的方法,所述方法包括以下步驟:
制備基板,該基板被劃分為第一像素、第二像素和第三像素并且由所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素限定;
在所述基板上形成第一電極;
通過溶液處理在所述第一電極上形成第一公共層;
通過溶液處理在所述第一公共層上分別在所述第一像素和所述第二像素中形成第一發光層和第二發光層;
通過蒸發處理按第一三重態激子約束層、第三發光層和第二三重態激子約束層的順序,順序地在所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素上方形成所述第一三重態激子約束層、所述第三發光層和所述第二三重態激子約束層,使得這些層覆蓋所述第一發光層和所述第二發光層;以及
在所述第二公共層上形成第二電極。
12.根據權利要求11所述的方法,其中,用于形成所述第一公共層、所述第一發光層和所述第二發光層的溶液處理是從噴墨印刷、噴嘴印刷、轉印、狹縫涂覆、凹版印刷和熱噴射印刷中選擇的。
13.根據權利要求11所述的方法,其中,通過沉積小分子有機材料執行形成所述第一三重態激子約束層和所述第二三重態激子約束層的步驟。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





