[發明專利]具有良好相位噪聲性能的壓控振蕩器及電路有效
| 申請號: | 201210562727.X | 申請日: | 2012-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN103107772A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發明(設計)人: | 王自強;宋奕霖;姜琿;張春;麥宋平;姜漢鈞;王志華 | 申請(專利權)人: | 清華大學深圳研究生院 |
| 主分類號: | H03B5/04 | 分類號: | H03B5/04 |
| 代理公司: | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人: | 王震宇 |
| 地址: | 518055 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 良好 相位 噪聲 性能 壓控振蕩器 電路 | ||
1.一種壓控振蕩器,其特征在于,包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管,所述第一MOS管和所述第二MOS管的源極接電源,所述第三MOS管和所述第四MOS管的源極接地,所述第一MOS管的漏極通過第一LC諧振單元連接所述第三MOS管的漏極,所述第一MOS管的柵極連接所述第三MOS管的漏極,所述第三MOS管的柵極連接所述第二MOS管的漏極,所述第二MOS管的漏極通過第二LC諧振單元連接所述第四MOS管的漏極,所述第二MOS管的柵極連接所述第四MOS管的漏極,所述第四MOS管的柵極連接所述第一MOS管的漏極。
2.如權利要求1所述的壓控振蕩器,其特征在于,還包括第一反相器、第二反相器、第三反相器和第四反相器,所述第一反相器的輸入端連接所述第一MOS管的漏極,所述第二反相器的輸入端連接所述第二MOS管的漏極,所述第三反相器的輸入端連接所述第三MOS管的漏極,所述第四反相器的輸入端連接所述第四MOS管的漏極。
3.如權利要求1或2所述的壓控振蕩器,其特征在于,所述第一MOS管和所述第二MOS管為PMOS管,所述第三MOS管和所述第四MOS管為NMOS管。
4.一種電路,其特征在于,包括如權利要求1或2或3所述的壓控振蕩器。
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