[發明專利]用以產生參考電流的參考單元電路以及方法

有效

• 申請號: 201210562531.0
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN103886903B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發明（設計）人: 林紀舜;林小峰;謝明輝
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 任默聞

1.一種參考單元電路，適用于一非易失性存儲器，其特征在于，所述的參考單元電路包括：

一參考單元陣列，包括至少一列浮柵晶體管，用以產生一參考電流；

一第一電流鏡電路，用以根據上述參考單元陣列所產生的上述參考電流，產生一鏡射電流；以及

一第二電流鏡電路，用以接收上述鏡射電流，并根據上述鏡射電流以及復數使能信號中之一被選取者，產生一已調整參考電流，其中上述復數使能信號分別相應于上述非易失性存儲器的復數操作，并且上述已調整參考電流系用以決定上述非易失性存儲器的復數存儲器單元的邏輯狀態。

2.如權利要求1所述的參考單元電路，其特征在于，所述的第二電流鏡電路更包括：

一第一N型晶體管，具有一漏極耦接至上述第一電流鏡電路，一源極耦接至一接地，以及一柵極耦接至上述漏極；以及

復數控制電路，用以根據上述被選取的使能信號，鏡射上述鏡射電流，其中每一控制電路包括：

一第二N型晶體管，具有一漏極，一源極耦接至上述接地，以及一柵極耦接至上述第一N型晶體管的柵極；以及

一第三N型晶體管，具有一漏極耦接至一第一電壓，一源極耦接至上述第二N型晶體管的漏極，以及一柵極用以接收上述被選取的使能信號。

3.如權利要求2所述的參考單元電路，其特征在于，每一上述第二N型晶體管具有一長寬比，并且每一上述第二N型晶體管的長寬比彼此不同并相差2的n次冪。

4.如權利要求2所述的參考單元電路，其特征在于，所述的參考單元電路更包括復數感測晶體管耦接于上述參考單元陣列以及上述第一電流鏡電路之間，其中每一上述感測晶體管分別耦接至每一列中的每一上述浮柵晶體管。

5.如權利要求4所述的參考單元電路，其特征在于，所述的第一電流鏡電路更包括：

一第一P型晶體管，具有一源極耦接至一第二電壓，一漏極耦接至每一上述感測晶體管，以及一柵極耦接至上述第一P型晶體管的漏極；以及

一第二P型晶體管，具有一源極耦接至上述第二電壓，一漏極耦接至上述第二電流鏡電路中的上述第一N型晶體管的漏極，以及一柵極耦接至上述第一P型晶體管的柵極。

6.如權利要求2所述的參考單元電路，其特征在于，所述的參考單元電路更包括一選擇裝置用以根據上述非易失性存儲器的上述操作，選擇上述使能信號中之一被選取者，以及提供上述使能信號中之一被選取者至上述第二電流鏡電路。

7.如權利要求2或者6所述的參考單元電路，其特征在于，每一上述使能信號系為一二進制碼，并且上述二進制碼中的每一位元系分別用以提供至相應的第三N型晶體管的柵極，以分別控制每一上述控制電路是否進行導通。

8.如權利要求1所述的參考單元電路，其特征在于，所述的操作包括確認上述非易失性存儲器的上述存儲器單元的一低閾值電壓，正常讀取上述非易失性存儲器的上述存儲器單元，確認上述非易失性存儲器的上述存儲器單元的一高閾值電壓，以及確認上述非易失性存儲器的上述存儲器單元的一后程式化閾值電壓。

9.如權利要求1所述的參考單元電路，其特征在于，所述的參考單元陣列的上述浮柵晶體管具有一閾值電壓，并且上述閾值電壓系為一紫外線閾值電壓。

10.如權利要求1所述的參考單元電路，其特征在于，所述的參考單元陣列的上述浮柵晶體管具有一閾值電壓，并且上述參考單元陣列的上述浮柵晶體管的上述閾值電壓已被抹除或者程式化至一既定紫外線閾值電壓，或者經由紫外線被抹除至一紫外線閾值電壓。

11.如權利要求1所述的參考單元電路，其特征在于，所述的參考單元電路更包括一電流電壓轉換器用以轉換上述已調整參考電流為一已調整參考電壓。

12.如權利要求11所述的參考單元電路，其特征在于，所述的電流電壓轉換器包括：

一P型晶體管，具有一源極耦接至一電壓，一漏極耦接至一輸出節點，以及一柵極耦接至上述P型晶體管的漏極；

一N型晶體管，具有一漏極耦接至上述P型晶體管的漏極，一源極耦接至上述第二電流鏡電路，以及一柵極；以及

一反相器，具有一輸入端耦接至上述N型晶體管的源極，以及一輸出端耦接至上述N型晶體管的柵極。