[發明專利]金/硅共晶芯片焊接方法及晶體管

有效

• 申請號: 201210562498.1
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN103887183B
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發明（設計）人: 贠倫剛;黃安;田鵬博
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

1.一種金/硅共晶芯片焊接方法，其特征在于，包括：

在芯片載體的表面電鍍厚度小于等于1微米的金層；

在焊接區域的所述金層上鍵合多個金凸起；

在共晶溫度下將芯片在焊接區域進行摩擦，使所述金凸起與所述芯片表體反應形成硅金焊點而實現所述芯片在所述載體上的封裝。

2.根據權利要求1所述的金/硅共晶芯片焊接方法，其特征在于，所述金層為純金或鈀金。

3.根據權利要求2所述的金/硅共晶芯片焊接方法，其特征在于，當所述金層為純金時，所述金層的厚度為0.3-1.0微米；當所述金層為鈀金時，鈀層部分的厚度為0.05-0.2微米，金層部分的厚度為0.05-0.2微米。

4.根據權利要求1所述的金/硅共晶芯片焊接方法，其特征在于，所述金凸起為點狀凸起、線狀凸起、帶狀凸起中的一種或多種。

5.根據權利要求4所述的金/硅共晶芯片焊接方法，其特征在于，所述線狀凸起的直徑為大于等于15微米。

6.根據權利要求4所述的金/硅共晶芯片焊接方法，其特征在于，所述帶狀凸起的厚度大于等于6微米。

7.一種晶體管，其特征在于，包括芯片、芯片載體和連接所述芯片和所述芯片載體的中間層，所述中間層為利用權利要求1-6中任一項所述的焊接方法獲得的焊接層。

8.根據權利要求7所述的晶體管，其特征在于，所述晶體管為以硅為基體的晶體管。