[發(fā)明專利]一種PSS圖形化襯底刻蝕方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210562272.1
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN103887375A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉海鷹
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種PSS圖形化襯底刻蝕方法，該方法包括：其特征在于，

提供襯底，并在襯底上制作具有所需圖形的掩膜；

按照主刻蝕過程對襯底進(jìn)行刻蝕；

按照過刻蝕過程對襯底進(jìn)行刻蝕；

結(jié)束刻蝕；

其中，所述主刻蝕過程包括N個刻蝕子過程，對于相鄰的兩個刻蝕子過程，后一個刻蝕子過程所采用的下電極射頻功率高于前一個刻蝕子過程所采用的下電極射頻功率，N為大于或等于3的整數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的PSS刻蝕方法，其特征在于，N為3，所述N個刻蝕子過程分別為第一刻蝕子過程、第二刻蝕子過程、以及第三刻蝕子過程。

3.如權(quán)利要求2所述的PSS刻蝕方法，其特征在于，所述第一刻蝕子過程的工藝時間占整個主刻蝕工藝時間的20～40%，所述第二刻蝕子過程的工藝時間占整個主刻蝕工藝時間的40～70%，所述第三刻蝕子過程占整個主刻蝕工藝時間的10～20%。

4.如權(quán)利要求2所述的PSS刻蝕方法，其特征在于，所述第一刻蝕子過程、第二刻蝕子過程、以及第三刻蝕子過程所占用的工藝時間的比例為3：4：1。

5.如權(quán)利要求1所述的PSS刻蝕方法，其特征在于，所述N小于或等于100。

6.如權(quán)利要求1所述的PSS刻蝕方法，其特征在于，所述N小于或等于10。

7.如權(quán)利要求1所述的PSS刻蝕方法，其特征在于，各個刻蝕子過程所占用的工藝時間是根據(jù)各個刻蝕子過程所使用的下電極射頻功率確定的。

8.如權(quán)利要求1所述的PSS刻蝕方法，其特征在于，在每一單個刻蝕子過程中，其采用的下電極射頻功率是恒定的。

9.如權(quán)利要求1所述的PSS刻蝕方法，其特征在于，在每一單個刻蝕子過程中，其采用的下電極射頻功率逐漸增加。

10.如權(quán)利要求9所述的PSS刻蝕方法，其特征在于，所述下電極射頻功率在逐漸增加時的變化率為0～100W/min。

11.如權(quán)利要求9所述的PSS刻蝕方法，其特征在于，所述下電極射頻功率在逐漸增加時的變化率為0～20W/min。

12.如權(quán)利要求1所述的PSS刻蝕方法，其特征在于，所述下電極射頻功率的范圍是80～700W。

13.如權(quán)利要求12所述的PSS刻蝕方法，其特征在于，所述下電極射頻功率的范圍是80～400W。

14.如權(quán)利要求1所述的PSS刻蝕方法，其特征在于，在所述N個刻蝕子過程中，所采用的氣壓范圍是2～30mT，所采用的上電極射頻功率范圍是1000～3000W，所采用的刻蝕氣體流量范圍是50～150sccm。

15.如權(quán)利要求14所述的PSS刻蝕方法，其特征在于，所述氣壓范圍是2-10mT，所述上電極射頻功率范圍是1600～2500W，所述刻蝕氣體流量范圍是50～120sccm。