[發(fā)明專利]一種無(wú)源驅(qū)動(dòng)MEMS光開關(guān)及加工工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210562144.7 | 申請(qǐng)日： | 2012-12-21 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103048784A | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳巧;謝會(huì)開;丁金玲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 無(wú)錫微奧科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G02B26/08 | 分類號(hào)： | G02B26/08;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人： | 許方 |
| 地址： | 214028 江蘇省無(wú)錫*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 無(wú)源 驅(qū)動(dòng) mems 開關(guān) 加工 工藝 | ||
1.一種無(wú)源驅(qū)動(dòng)MEMS光開關(guān)，包括鏡體（1）和鏡體邊框（2），其特征在于：還包括磁性件（3），鏡體（1）通過(guò)彈性連接件（4）與鏡體邊框（2）相連接；磁性件（3）設(shè)置在鏡體（1）的背面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種無(wú)源驅(qū)動(dòng)MEMS光開關(guān)，其特征在于：還包括透光蓋（8），透光蓋（8）以其內(nèi)表面面向所述鏡體（1）的方向、設(shè)置在鏡體邊框（2）的上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種無(wú)源驅(qū)動(dòng)MEMS光開關(guān)，其特征在于：還包括底蓋（6），底蓋（6）以其內(nèi)表面面向所述磁性件（3）的方向、設(shè)置在鏡體邊框（2）的下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種無(wú)源驅(qū)動(dòng)MEMS光開關(guān)，其特征在于：所述底蓋（6）的內(nèi)表面設(shè)置有凹槽（7）。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述一種無(wú)源驅(qū)動(dòng)MEMS光開關(guān)，其特征在于：所述鏡體（1）其中的一邊通過(guò)彈性連接件（4）與鏡體邊框（2）其中的一邊相連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述一種無(wú)源驅(qū)動(dòng)MEMS光開關(guān)，其特征在于：所述鏡體（1）上與彈性連接件（4）所在邊、相對(duì)的另一邊上設(shè)置有無(wú)磁性限位邊（5）。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述一種無(wú)源驅(qū)動(dòng)MEMS光開關(guān)，其特征在于：所述鏡體（1）上相對(duì)的兩邊分別通過(guò)彈性連接件（4）與鏡體邊框（2）上相對(duì)的兩邊相連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述一種無(wú)源驅(qū)動(dòng)MEMS光開關(guān)，其特征在于：所述鏡體（1）上與設(shè)置在相對(duì)兩邊上彈性連接件（4）之間的連線、相垂直的另外兩邊上分別設(shè)置有無(wú)磁性限位邊（5）。
9.一種用于權(quán)利要求1所述一種無(wú)源驅(qū)動(dòng)MEMS光開關(guān)的加工工藝，包括所述鏡體（1）和鏡體邊框（2）的加工工藝，鏡體（1）和鏡體邊框（2）的材料為SOI硅片，SOI硅片包含兩層硅，且兩層硅之間為掩埋二氧化硅層，其特征在于：該加工工藝包括如下步驟：
步驟a1.?對(duì)SOI硅片進(jìn)行雙面標(biāo)準(zhǔn)清洗；
步驟a2.?對(duì)SOI硅片正面圖形化并電鍍磁性材料；
步驟a3.?對(duì)SOI硅片正面圖形化，并刻蝕Si一直到所述掩埋二氧化硅層；
步驟a4.?對(duì)SOI硅片背面圖形化，并刻蝕Si一直到所述掩埋二氧化硅層；
步驟a5.?濕法或干法刻蝕所述掩埋二氧化硅層；
步驟a6.?對(duì)SOI硅片背面淀積一層金，構(gòu)成鏡體（1）。
10.一種用于權(quán)利要求3所述一種無(wú)源驅(qū)動(dòng)MEMS光開關(guān)的加工工藝，還包括底蓋（6）的加工工藝，底蓋（6）的材料為SOI硅片，SOI硅片包含兩層硅，且兩層硅之間為掩埋二氧化硅層，其特征在于：該加工工藝包括如下步驟：
步驟b1.?對(duì)SOI硅片進(jìn)行雙面標(biāo)準(zhǔn)清洗；
步驟b2.?對(duì)SOI硅片正面進(jìn)行氧化或氧化層淀積，并圖形化；
步驟b3.?對(duì)SOI硅片的正面進(jìn)行甩膠光刻；
步驟b4.?利用步驟b3的光刻膠作為阻擋掩膜，對(duì)SOI硅片的正面干法刻蝕Si直至所述掩埋二氧化硅層；?
步驟b5.?利用步驟b2的氧化層作為阻擋掩膜，再一次對(duì)SOI硅片正面第2次干法刻蝕Si。
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