[發明專利]熒光粉設置方法及發光二極管制造方法

在審

• 申請號: 201210561902.3
• 申請日: 2012-12-22
• 公開（公告）號: CN103887411A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 賴志成
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種熒光粉設置方法，包括步驟：

提供晶圓，晶圓包括磊晶結構，磊晶結構包括第一半導體層、第二半導體層、位于第一半導體層與第二半導體層之間的發光層、位于第一半導體層上的第一電極及位于第二半導體層上的第二電極；

在第一電極及第二電極上分別覆蓋分離的光阻結構；

在磊晶結構及光阻結構上覆蓋連續分布的熒光粉；

去除部分熒光粉而暴露出光阻結構；

去除光阻結構而使第一電極及第二電極均暴露在外。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：在去除部分熒光粉的過程中，第一電極及第二電極上的光阻結構被部分去除。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于：第一電極及第二電極均在去除光阻結構的步驟之后才暴露在外。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：在去除部分熒光粉的過程中，第二電極上的光阻結構被完全去除，第一電極上的光阻結構被部分去除。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于：第二電極在去除部分熒光粉的步驟之后就暴露在外，第一電極在去除光阻結構的步驟之后才暴露在外。

6.如權利要求1至5任一項所述的方法，其特征在于：磊晶結構的數量為多個，在第一電極及第二電極上覆蓋光阻結構的過程中，相鄰磊晶結構之間的基板表面也覆蓋有光阻結構。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于：基板表面的光阻結構、第一電極上的光阻結構及第二電極上的光阻結構的高度依次上升。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于：基板表面的光阻結構在去除部分熒光粉的過程中也暴露出來，并且在去除光阻結構的過程中也一同被去除。

9.如權利要求6所述的方法，其特征在于：基板表面的光阻結構與相鄰的磊晶結構之間形成間隙，間隙在覆蓋熒光粉的過程中被熒光粉所填充。

10.一種使用如權利要求6所述的熒光粉設置方法的發光二極管制造方法，進一步包括：

沿著相鄰磊晶結構之間的位置切割基板，形成多個獨立的晶粒；

各將晶粒固定于底座上；

通過打線將各晶粒的暴露出的第一電極及第二電極與基座連接；

在基座上形成覆蓋晶粒的封裝層。