[發明專利]發光二極管的制造方法及使用該方法制成的發光二極管

無效

• 申請號: 201210561829.X
• 申請日: 2012-12-22
• 公開（公告）號: CN103887399A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 林厚德;陳濱全;陳隆欣
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/54
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種半導體發光元件，特別涉及一種發光二極管的制造方法及其使用該方法制成的發光二極管。

背景技術

發光二極管（light?emitting?diode，LED）作為一種高效的發光源，具有環保、省電、壽命長等諸多特點已經被廣泛的運用于各種領域。

在應用到具體領域中之前，發光二極管還需要進行封裝，以保護發光二極管芯片，從而獲得較高的發光效率及較長的使用壽命。

一般的發光二極管通常先成型反射杯，在反射杯成型后再將電極彎折貼設于反射杯的底面及側面上。然而，這種方法制成的發光二極管的密合度不佳，中的電極與反射杯之間結合不緊密，電極在使用過程中容易松動或脫落。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種有效提升密合度的發光二極管制造方法及其使用該方法制成的發光二極管。

一種發光二極管的制造方法，包括以下步驟：提供裝設有多列第一電極及第二電極的引線架，所述第一電極、第二電極交錯排列于引線架上，所述第一電極、第二電極均包括縱長的本體部及由本體部的一端向外一體延伸的接引電極，所述接引電極的寬度小于本體部的寬度，將同一列中的各第一電極通過連接條縱向串接，將同一列中的各第二電極通過連接條縱向串接；在引線架上形成多列對應包覆接引電極的覆蓋層；在引線架上兩列相鄰覆蓋層之間形成圍繞第一電極、第二電極設置的反射杯，所述反射杯具有容納發光二極管芯片的容置槽；去除包覆于接引電極上的覆蓋層；在容置槽內設置發光二極管芯片并電連接所述第一電極、第二電極；在容置槽內形成覆蓋發光二極管芯片的封裝層；以及切割反射杯及連接條以形成多個獨立的發光二極管。

一種發光二極管，其包括一對間隔設置的第一電極和第二電極、分別與第一電極和第二電極電連接的發光二極管芯片以及圍繞發光二極管芯片設置的反射杯，反射杯具有一容納發光二極管芯片的容置槽，所述第一電極和第二電極的相反兩端分別向外進而向下一體延伸出接引電極，所述接引電極的寬度小于對應的第一電極/第二電極的寬度，所述第一電極和第二電極嵌置于反射杯內，所述接引電極外露于反射杯相對的兩側。

與現有技術相比，本方法在成型反射杯時接引電極被覆蓋層包覆，反射杯成型后再去除其兩側接引電極上的覆蓋層，這能有效提升發光二極管的密合度。

下面參照附圖，結合具體實施例對本發明作進一步的描述。

附圖說明

圖1是本發明一實施例的發光二極管的制造方法流程圖。

圖2是圖1中所示發光二極管的制造方法步驟S101所得的引線架的俯視示意圖。

圖3是圖2所示引線架中第一電極、第二電極的俯視示意圖。

圖4是圖3所示第一電極和第二電極沿IV-IV線的剖面示意圖。

圖5是圖3所示第一電極和第二電極的仰視示意圖。

圖6是圖1中所示發光二極管的制造方法步驟S102所得的引線架上形成覆蓋層后的俯視示意圖。

圖7是圖6所示引線架上形成覆蓋層后第一電極和第二電極的俯視示意圖。

圖8是圖7所示第一電極和第二電極沿VIII-VIII線的剖面示意圖。

圖9是圖7所示第一電極和第二電極的仰視示意圖。

圖10是圖6所示引線架放置于模具中的剖面示意圖。

圖11是圖10引線架上放置于模具內的仰視示意圖（下模具的底部被隱藏）。

圖12是圖1中所示發光二極管的制造方法步驟S103所得的引線架上形成反射杯后的俯視示意圖。

圖13是圖12所示引線架上形成反射杯后第一電極和第二電極的俯視示意圖。

圖14是圖13所示第一電極、第二電極沿XIV-XIV線的剖面示意圖。

圖15是圖12所示第一電極、第二電極的仰視示意圖。

圖16是圖1中所示發光二極管的制造方法步驟S107所得的獨立發光二極管的剖面示意圖。

主要元件符號說明