[發(fā)明專利]非易失性存儲器件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210560867.3
• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN103178068A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔相武;周瀚洙;樸丙洙;吳尚炫
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/43;H01L21/8247;H01L21/28
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 石卓瓊;俞波

1.一種非易失性存儲器件，包括：

溝道結(jié)構(gòu)，所述溝道結(jié)構(gòu)形成在襯底之上，所述襯底包括交替地層疊的多個層間電介質(zhì)層和多個溝道層；以及

第一選擇柵和第二選擇柵，所述第一選擇柵和所述第二選擇柵被布置在所述溝道結(jié)構(gòu)的第一側(cè)和第二側(cè)，其中所述第一選擇柵和所述第二選擇柵分別與所述多個溝道層的側(cè)壁接觸，

其中，形成所述第一選擇柵的材料的功函數(shù)與形成所述第二選擇柵的材料的功函數(shù)不同。

2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述第一選擇柵由具有第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料形成，所述第二選擇柵由具有第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料形成，所述第二導(dǎo)電類型與所述第一導(dǎo)電類型不同。

3.如權(quán)利要求2所述的非易失性存儲器件，其中，所述第一選擇柵由N型多晶硅形成，所述第二選擇柵由P型多晶硅形成。

4.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述溝道結(jié)構(gòu)包括多個溝道結(jié)構(gòu)，以及

所述第一選擇柵和所述第二選擇柵交替地排列在所述溝道結(jié)構(gòu)之間。

5.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，還包括：

延伸部，所述延伸部被布置在所述溝道結(jié)構(gòu)之上或之下，沿與所述溝道結(jié)構(gòu)相交叉的第一方向延伸，并與所述第一選擇柵和所述第二選擇柵耦接。

6.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，還包括：

第一延伸部，所述第一延伸部被布置在所述溝道結(jié)構(gòu)之上，沿與所述溝道結(jié)構(gòu)相交叉的第一方向延伸，并與所述第一選擇柵耦接，以及

第二延伸部，所述第二延伸部被布置在所述溝道結(jié)構(gòu)之下，沿所述第一方向延伸，并與所述第二選擇柵耦接。

7.如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲器件，其中，所述第一延伸部分由與形成所述第一選擇柵的材料相同的材料形成，

所述第二延伸部分由與形成所述第二選擇柵的材料相同的材料形成。

8.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，在擦除操作模式下使用根據(jù)施加至所述第一選擇柵和所述第二選擇柵的電壓而產(chǎn)生的柵致漏極泄漏電流。

9.一種非易失性存儲器件，包括：

溝道，所述溝道從襯底沿垂直方向延伸；以及

多個層間電介質(zhì)層和多個導(dǎo)電層，所述多個層間電介質(zhì)層和所述多個導(dǎo)電層沿著所述溝道交替地層疊，

其中，所述多個導(dǎo)電層之中的最上層的導(dǎo)電層形成選擇柵，以及

所述選擇柵的接觸所述溝道的第一側(cè)的第一部分由具有第一功函數(shù)的材料形成，所述選擇柵的接觸所述溝道的第二側(cè)的第二部分由具有第二功函數(shù)的材料形成，所述第二功函數(shù)與所述第一功函數(shù)不同。

10.如權(quán)利要求9所述的非易失性存儲器件，其中，具有所述第一功函數(shù)的材料是具有第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料，以及

具有所述第二功函數(shù)的材料是具有第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料，所述第二導(dǎo)電類型與所述第一導(dǎo)電類型不同。

11.如權(quán)利要求10所述的非易失性存儲器件，其中，具有所述第一功函數(shù)的材料由N型多晶硅形成，具有所述第二功函數(shù)的材料由P型多晶硅形成。

12.如權(quán)利要求9所述的非易失性存儲器件，其中，所述溝道在所述選擇柵的延伸方向上包括多個溝道，以及

具有所述第一功函數(shù)的材料與具有所述第二功函數(shù)的材料沿所述選擇柵的延伸方向交替地排列。

13.如權(quán)利要求9所述的非易失性存儲器件，其中，在擦除操作模式下使用根據(jù)施加至所述選擇柵的電壓而產(chǎn)生的柵致漏極泄漏電流。