[發(fā)明專利]具有耐腐蝕部件的等離子體處理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210560158.5
• 申請(qǐng)日: 2012-12-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103177926A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石洪;許林;拉金德·丁德薩;約翰·多爾蒂;方言;李斯文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻(xiàn)忠

1.一種包含等離子體處理室、氣體分配構(gòu)件、襯底支撐構(gòu)件、等離子體區(qū)、能量源、和耐腐蝕部件的等離子體處理裝置，其中：

所述等離子體處理室保持在真空壓強(qiáng)下，并約束等離子體處理氣體；

所述氣體分配構(gòu)件和所述襯底支撐構(gòu)件被設(shè)置在所述等離子體處理室內(nèi)；

所述氣體分配構(gòu)件將所述等離子體處理氣體排放在所述等離子體處理室中;

所述氣體分配構(gòu)件和所述襯底支撐構(gòu)件通過(guò)所述等離子體區(qū)彼此分開(kāi);

所述能量源與所述氣體分配構(gòu)件、所述襯底支撐構(gòu)件、或兩者電氣連通;

所述能量源向所述等離子體處理室中傳送能量，并在所述等離子體區(qū)內(nèi)將所述等離子體處理氣體中的至少一部分轉(zhuǎn)變成等離子體;

所述耐腐蝕部件位于所述等離子體處理室內(nèi);

所述耐腐蝕部件暴露于所述等離子體處理氣體，并與所述等離子體區(qū)不重合；以及

所述耐腐蝕部件包括涂覆有鉭（Ta）外層的不銹鋼內(nèi)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述鉭（Ta）外層是化學(xué)氣相沉積層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述鉭（Ta）外層具有小于約100μm的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述鉭（Ta）外層具有小于約5%的孔隙率。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述鉭（Ta）外層包括至少約97wt%的鉭（Ta）。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述鉭（Ta）外層包括大于0wt%且小于約0.013wt%的鉿（Hf）。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述鉭（Ta）外層包括大于0wt%且小于約0.013wt%的鈮（Nb）。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述鉭（Ta）外層包括大于0wt%且小于約0.013wt%的鉑（Pt）。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述鉭（Ta）外層包括大于0wt%且小于約0.013wt%的鎢（W）。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述耐腐蝕部件是襯墊。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述耐腐蝕部件是波紋管。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述耐腐蝕部件是導(dǎo)電帶。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述耐腐蝕部件是氣體管線。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述耐腐蝕部件包括以小于約90°（約1.57弧度）的角度形成的邊緣。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述等離子體處理氣體包含BCl₃、HBr、HCl、Cl₂、或它們的組合，并且所述耐腐蝕部件的所述鉭（Ta）外層暴露于所述等離子體處理氣體。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述等離子體處理氣體包括CO，并且所述耐腐蝕部件的所述鉭（Ta）外層暴露于所述等離子體處理氣體。

17.一種包含等離子體處理室、氣體分配構(gòu)件、襯底支撐構(gòu)件、等離子體區(qū)、能量源、和耐腐蝕部件的等離子體處理裝置，其中：

所述等離子體處理室保持在真空壓強(qiáng)下，并約束等離子體處理氣體；

所述氣體分配構(gòu)件和所述襯底支撐構(gòu)件被設(shè)置在所述等離子體處理室內(nèi)；

所述氣體分配構(gòu)件將所述等離子體處理氣體排放在所述等離子體處理室中;

所述氣體分配構(gòu)件和所述襯底支撐構(gòu)件通過(guò)所述等離子體區(qū)彼此分開(kāi);

所述能量源與所述氣體分配構(gòu)件、所述襯底支撐構(gòu)件、或兩者電氣連通;

所述能量源向所述等離子體處理室中傳送能量，并在所述等離子體區(qū)內(nèi)將所述等離子體處理氣體中的至少一部分轉(zhuǎn)變成等離子體;

所述耐腐蝕部件位于所述等離子體處理室內(nèi);

所述耐腐蝕部件暴露于所述等離子體處理氣體，并與所述等離子體區(qū)不重合;

所述耐腐蝕部件包括涂覆有鉭（Ta）外層的不銹鋼內(nèi)層；

所述鉭（Ta）外層具有小于約100μm的厚度；

所述鉭（Ta）外層具有小于約5%的孔隙率；以及

所述鉭（Ta）外層包括至少約97wt%的鉭（Ta）。