[發明專利]一種通孔或接觸孔的形成方法

有效

• 申請號: 201210560146.2
• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN103021934A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 王兆祥;杜若昕;劉志強;倪圖強
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種通孔或接觸孔的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

刻蝕第一電介質層；

刻蝕位于所述第一電介質層下方的刻蝕阻擋層，以暴露出位于所述刻蝕阻擋層下方的第二電介質層中的金屬結構；

其特征在于，所述刻蝕位于所述第一電介質層下方的刻蝕阻擋層包括：重復執行第一刻蝕過程；其中，所述第一刻蝕過程由下述步驟（a）和（b）組成：

（a）在第一時間段內，向反應腔室內施加高射頻功率，以對所述刻蝕阻擋層進行干法刻蝕；

（b）在第二時間段內，向反應腔室內施加低射頻功率，以淀積聚合物用以保護所述通孔或接觸孔的側壁。

2.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕第一電介質層包括重復執行第二刻蝕過程；其中，所述第二刻蝕過程由下述步驟（c）和（d）組成：

（c）在第三時間段內，向反應腔室內施加高射頻功率，以對所述第一電介質層進行干法刻蝕；

（d）在第四時間段內，向反應腔室內施加低射頻功率，以淀積聚合物用以保護所述通孔或接觸孔的側壁。

3.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，一所述第一時間段和一所述第二時間段構成一第一脈沖周期，第一脈沖頻率為10KHz-500KHz；和/或，

一所述第三時間段和一所述第四時間段構成一第二脈沖周期，第二脈沖頻率為10KHz-500KHz。

4.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕位于所述第一電介質層下方的刻蝕阻擋層時，第一占空比在10%~90%之間；其中所述第一占空比為在一個所述第一刻蝕過程內所述第一時間段與所述第一時間段和所述第二時間段之和的比值。

5.根據權利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕位于所述第一電介質層下方的刻蝕阻擋層采用等離子體射頻源功率和等離子體射頻偏置功率完成；其中，在不同的所述第一刻蝕過程中，所述第一時間段和所述第二時間段均保持不變、且所述第一占空比在40%~90%之間。

6.根據權利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕位于所述第一電介質層下方的刻蝕阻擋層采用等離子體射頻源功率和等離子體射頻偏置功率完成；其中，在所述刻蝕位于所述第一電介質層下方的刻蝕阻擋層的過程中，所述第一占空比逐漸減小。

7.根據權利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕位于所述第一電介質層下方的刻蝕阻擋層采用等離子體射頻源功率完成；其中，在不同的所述第一刻蝕過程中，所述第一時間段和所述第二時間段均保持不變、且所述第一占空比在50%~90%之間。

8.根據權利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕位于所述第一電介質層下方的刻蝕阻擋層采用等離子體射頻源功率完成；其中，在所述刻蝕位于所述第一電介質層下方的刻蝕阻擋層的過程中，所述第一占空比逐漸減小。

9.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕第一電介質層時，第二占空比在10%~90%之間；其中所述第二占空比為在一個所述第二刻蝕過程內所述第三時間段與所述第三時間段和所述第四時間段之和的比值。

10.根據權利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕第一電介質層采用等離子體射頻源功率和等離子體射頻偏置功率完成；其中，在不同的所述第二刻蝕過程中，所述第三時間段和所述第四時間段均保持不變、且所述第二占空比在40%~90%之間。

11.根據權利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕第一電介質層采用等離子體射頻源功率和等離子體射頻偏置功率完成；其中，在所述刻蝕第一電介質層的過程中，所述第二占空比逐漸減小。

12.根據權利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕第一電介質層采用等離子體射頻源功率完成；其中，在不同的所述第二刻蝕過程中，所述第三時間段和所述第四時間段均保持不變、且所述第二占空比在50%~90%之間。

13.根據權利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕第一電介質層采用等離子體射頻源功率完成；其中，在所述刻蝕第一電介質層的過程中，所述第二占空比逐漸減小。