[發明專利]一種在鈦合金表面制備Ag-Ti-O納米管抗菌薄膜的方法

有效

• 申請號: 201210559876.0
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN103046056A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 杭瑞強;高昂;黃曉波;唐賓
• 申請（專利權）人: 太原理工大學
• 主分類號: C23F17/00
• 分類號: C23F17/00;C23C14/16;C23C14/35;C25D11/26;A61L27/30;A61L27/06
• 代理公司: 太原市科瑞達專利代理有限公司 14101
• 代理人: 王思俊

1.?一種在鈦合金表面制備Ag-Ti-O納米管抗菌薄膜的方法，其特征在于操作步驟為：

(1)鈦合金試件預處理：將鈦合金試件進行機械研磨、拋光，然后順序浸入丙酮、酒精和蒸餾水中進行超聲波清洗；

(2)將預處理好的鈦合金試件(10)放入脈沖直流磁控濺射鍍膜設備的真空室(1)內可旋轉的樣品臺(8)上，將永磁體(2)安放在真空室(1)的外表面上，將作為薄膜中Ti和Ag來源的平面TiAg合金靶(3)安裝在永磁體(2)的背面的真空室(1)內，調整TiAg合金靶(3)與試件(10)之間的距離為75-95cm；

(3)先用抽真空裝置(5)將真空室(1)的氣壓通過出氣管孔(4)抽至5.0×10^-3Pa，然后通過進氣管孔(9?)通入流量為60sccm的氬氣到真空室(1)內，當真空室(1)氣壓穩定在4.8-5.2Pa時，打開偏壓電源(7)并將偏壓緩慢加至-800～-900V對真空室(1)和試件(10)表面進行濺射清洗，清洗時間為15-30min；

(4)清洗完成后，打開抽真空裝置(5)并通過出氣管孔(4)抽出殘氣，然后通過進氣孔(9)調節氬氣流量至80sccm，使真空室(1)氣壓保持在8.0-8.5×10^-1Pa，開啟TiAg合金靶濺射電源(6)并將電壓緩慢加至350-380V，調節電流至0.8-1.2A，然后開啟偏壓電源(7)并調整偏壓至80-120V，在試件(10)表面鍍Ti-Ag復合膜層，鍍膜時間為4h；

(5)將含2.5-3.5wt%NH₄F、1-1.5vol%H₂O的乙二醇電解液(15?)放入到陽極氧化設備的電解池(12)內，將輔助電極(11)和經過鍍膜處理的試件(10)固定在支架(13)的下端浸入到電解液以內，然后打開直流電源(14)對經過鍍膜處理的試件(10)進行陽極氧化處理，來制備Ag-Ti-O納米管抗菌薄膜，氧化電壓為25-35V，氧化時間為3-5h。