[發(fā)明專利]一種Ⅲ-ⅤOI結構的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210559716.6
• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN103021812A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設計）人: 狄增峰;高曉強;恭謙;張苗;王庶民
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/762
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種Ⅲ-ⅤOI結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法至少包括以下步驟：

1）提供一半導體襯底，于所述半導體襯底表面形成GaAs層，于所述GaAs層表面形成Ⅲ-Ⅴ半導體層，于所述Ⅲ-Ⅴ半導體層表面形成第一SiO₂層，所述半導體襯底為Ge、Ge/Si及Ge/GeSi/Si襯底的一種；

2）提供一表面具有第二SiO₂層的Si襯底，鍵合所述第一SiO₂層及第二SiO₂層；

3）采用XeF₂氣體腐蝕以去除所述半導體襯底，獲得GaAs層/Ⅲ-Ⅴ半導體層/SiO₂層/Si襯底結構。

2.根據(jù)權利要求1所述的Ⅲ-ⅤOI結構的制備方法，其特征在于：采用分子束外延法或超高真空化學氣相沉積法形成所述GaAs層。

3.根據(jù)權利要求1所述的Ⅲ-ⅤOI結構的制備方法，其特征在于：采用分子束外延法或超高真空化學氣相沉積法形成所述Ⅲ-Ⅴ半導體層。

4.根據(jù)權利要求1所述的Ⅲ-ⅤOI結構的制備方法，其特征在于：采用等離子體增強化學氣相沉積法及化學機械拋光法形成所述第一SiO₂層。

5.根據(jù)權利要求1所述的Ⅲ-ⅤOI結構的制備方法，其特征在于：步驟2）在鍵合后還包括高溫退火以加強鍵合的步驟。

6.根據(jù)權利要求1所述的Ⅲ-ⅤOI結構的制備方法，其特征在于：步驟3）中，將XeF₂氣體間歇性地通入至所述半導體襯底表面以將其去除。

7.根據(jù)權利要求6所述的Ⅲ-ⅤOI結構的制備方法，其特征在于：XeF₂氣體的流向為垂直于所述半導體襯底的方向。

8.根據(jù)權利要求6所述的Ⅲ-ⅤOI結構的制備方法，其特征在于：在腐蝕過程中，氣壓強度保持在0.1~1Torr之間。

9.根據(jù)權利要求6所述的Ⅲ-ⅤOI結構的制備方法，其特征在于：在腐蝕過程中，腐蝕溫度為15~40℃。

10.根據(jù)權利要求1所述的Ⅲ-ⅤOI結構的制備方法，其特征在于：所述半導體襯底的厚度不大于500μm。