[發(fā)明專利]封裝基板構(gòu)造有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210559623.3 | 申請(qǐng)日： | 2012-12-21 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103050485A | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 郭桂冠 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘇州日月新半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/64 | 分類號(hào)： | H01L23/64;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 215021 江蘇省*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 封裝 構(gòu)造 | ||
1.一種封裝基板構(gòu)造，具有一上表面和一下表面，其特征在于，所述封裝基板構(gòu)造包含：
至少一介電層，設(shè)置于所述上表面和所述下表面之間；
一電感本體，設(shè)置于所述上表面和所述下表面之間；
至少一第一連接墊，裸露于所述上表面，并電性連接所述電感本體的一個(gè)位置；及
至少二第二連接墊，裸露于所述上表面或所述下表面，并電性連接所述電感本體的另至少二個(gè)不同的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝基板構(gòu)造，其特征在于：所述第一連接墊及其中一個(gè)所述第二連接墊分別電性連接所述電感本體的兩端。
3.如權(quán)利要求1所述的封裝基板構(gòu)造，其特征在于：所述電感本體是由位于同一層的一電感本體單元構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求1所述的封裝基板構(gòu)造，其特征在于：所述電感本體是由位于不同層的多個(gè)電感本體單元構(gòu)成，所述多個(gè)電感本體單元通過導(dǎo)通孔電性連接。
5.如權(quán)利要求3所述的封裝基板構(gòu)造，其特征在于：所述介電層為一單層介電層，所述電感本體位于所述單層介電層的一外表面。
6.如權(quán)利要求3所述的封裝基板構(gòu)造，其特征在于：所述介電層為一多層介電層，所述電感本體位于所述多層介電層中的一最外層介電層的一外表面。
7.如權(quán)利要求3所述的封裝基板構(gòu)造，其特征在于：所述介電層為一多層介電層，所述電感本體位于所述多層介電層的內(nèi)部。
8.如權(quán)利要求4所述的封裝基板構(gòu)造，其特征在于：所述介電層為一單層介電層，所述多個(gè)電感本體單元分別位于所述單層介電層的一外表面和另一外表面上。
9.如權(quán)利要求4所述的封裝基板構(gòu)造，其特征在于：所述介電層為一多層介電層，所述電感本體的一部分位于所述多層介電層中的一最外層介電層的一外表面。
10.如權(quán)利要求4所述的封裝基板構(gòu)造，其特征在于：所述介電層為一多層介電層，所述電感本體位于所述多層介電層的內(nèi)部。
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