[發明專利]拓撲絕緣體結構

有效

• 申請號: 201210559554.6
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN103022344A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 薛其坤;何珂;馬旭村;陳曦;王立莉;常翠祖;馮硝;李耀義;賈金鋒
• 申請（專利權）人: 清華大學;中國科學院物理研究所
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;H01L43/10;C01B19/00
• 代理公司: 深圳市鼎言知識產權代理有限公司 44311
• 代理人: 哈達

1.一種拓撲絕緣體結構，包括：

絕緣基底；

設置在絕緣基底表面的磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜；

其特征在于，該磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜的材料由化學式Cr_y(Bi_xSb_1-x)_2-yTe₃表示，其中0.05<x<0.3，0<y<0.3，且1:2<x:y<2:1，該磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜的厚度為3QL至5QL。

2.如權利要求1所述的拓撲絕緣體結構，其特征在于，2:3≤x:y≤25:22。

3.如權利要求1所述的拓撲絕緣體結構，其特征在于，該磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜的厚度為5QL。

4.如權利要求1所述的拓撲絕緣體結構，其特征在于，該絕緣基底的材料為鈦酸鍶。

5.如權利要求1所述的拓撲絕緣體結構，其特征在于，該拓撲絕緣體結構進一步包括一背柵電極設置在該絕緣基底的遠離該磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜的表面。

6.如權利要求1所述的拓撲絕緣體結構，其特征在于，該磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜為Cr_0.15(Bi_0.10Sb_0.9)_1.85Te₃，厚度為5QL，絕緣基底的材料為鈦酸鍶。

7.如權利要求1所述的拓撲絕緣體結構，其特征在于，該磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜的載流子濃度為1×10¹³cm^-2以下。

8.如權利要求1所述的拓撲絕緣體結構，其特征在于，該磁性摻雜拓撲絕緣體量子阱薄膜的反?；魻栯娮鑂_AH為7.74kΩ≤R_AH≤25.8kΩ，且反?；魻柦铅痢?.2。