[發(fā)明專利]用于自動(dòng)化電容布局的單位電容模塊、自動(dòng)化電容布局方法以及自動(dòng)化電容布局裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210559001.0 | 申請(qǐng)日: | 2012-12-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103887301A | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 方偉憲;康平穎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 揚(yáng)智科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/02 | 分類號(hào): | H01L27/02;G06F17/50 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 胡林嶺 |
| 地址: | 中國臺(tái)*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 自動(dòng)化 電容 布局 單位 模塊 方法 以及 裝置 | ||
1.一種用于自動(dòng)化電容布局的單位電容模塊,包括:
一電容單元;
至少一第一連接端口,耦接于該電容單元的一第一側(cè);
至少一第二連接端口,耦接于該電容單元的一第二側(cè);
至少一第三連接端口,耦接于該電容單元的一第三側(cè);以及
至少一第四連接端口,耦接于該電容單元的一第四側(cè);
其中,該至少一第一連接端口的數(shù)量與該至少一第二連接端口的數(shù)量相同,且該至少一第一連接端口對(duì)稱于該至少一第二連接端口;該至少一第三連接端口的數(shù)量與該至少一第四連接端口的數(shù)量相同,且該至少一第三連接端口對(duì)稱于該至少一第四連接端口。
2.如權(quán)利要求1所述的單位電容模塊,其特征在于,該至少一第一連接端口其中之一耦接于該第一側(cè)的正中間,且該至少一第二連接端口其中之一耦接于該第二側(cè)的正中間。
3.如權(quán)利要求1所述的單位電容模塊,其特征在于,該至少一第三連接端口其中之一耦接于該第三側(cè)的正中間,且該至少一第四連接端口其中之一耦接于該第四側(cè)的正中間。
4.一種自動(dòng)化電容布局的方法,包括:
利用一單位電容模塊,產(chǎn)生一第一電容陣列,該第一電容陣列的面積可以覆蓋一芯片區(qū)域;
通過一布局文件,讀取多個(gè)電路區(qū)塊于該芯片區(qū)域中覆蓋的多個(gè)電路區(qū)域;
比對(duì)該第一電容陣列與通過該多個(gè)電路區(qū)塊所覆蓋的電路區(qū)域,去除該第一電容陣列中與該多個(gè)電路區(qū)域重疊的區(qū)域,以產(chǎn)生一第二電容陣列;以及
通過該布局文件以及該第二電容陣列,產(chǎn)生一最終電容布局文件。
5.一種用于自動(dòng)化電容布局的單位電容模塊,包括:
一電容單元,其中該電容單元具有:
至少一第一連接端口于該電容單元的一第一側(cè);
至少一第二連接端口于該電容單元的一第二側(cè);
至少一第三連接端口于該電容單元的一第三側(cè);以及
至少一第四連接端口于該電容單元的一第四側(cè);
其中,該至少一第一連接端口的數(shù)量與該至少一第二連接端口的數(shù)量相同,且該至少一第一連接端口與該至少一第二連接端口分別距該電容單元的一第一軸心的距離相同;該至少一第三連接端口的數(shù)量與該至少一第四連接端口的數(shù)量相同,且該至少一第三連接端口與該至少一第四連接端口分別距該電容單元的一第二軸心的距離相同。
6.一種自動(dòng)化電容布局裝置,包括:
一處理單元;以及
一儲(chǔ)存單元,用來儲(chǔ)存一程序代碼,該程序代碼指示該處理單元執(zhí)行以下步驟:
利用一單位電容模塊,產(chǎn)生一第一電容陣列,該第一電容陣列的面積可以覆蓋一芯片區(qū)域;
通過一布局文件,讀取多個(gè)電路區(qū)塊于該芯片區(qū)域中覆蓋的多個(gè)電路區(qū)域;
比對(duì)該第一電容陣列與該多個(gè)電路電路區(qū)塊所涵蓋的電路區(qū)域,去除該第一電容陣列中與該多個(gè)電路區(qū)域重疊的區(qū)域以產(chǎn)生一第二電容陣列;以及
通過該布局文件以及該第二電容陣列,產(chǎn)生一最終電容布局文件。
7.一種用于自動(dòng)化電容布局的電容陣列,該電容陣列包括:
多個(gè)單位電容模塊,其中該多個(gè)單位電容模塊中水平相鄰的單位電容模塊間是水平對(duì)稱,且該多個(gè)單位電容模塊垂直相鄰的單位電容模塊間是垂直對(duì)稱。
8.一種自動(dòng)化電容布局之方法,包括:
通過一布局文件,讀取一芯片區(qū)域與該芯片區(qū)域中多個(gè)電路區(qū)塊所覆蓋的多個(gè)電路區(qū)域;
比對(duì)并去除該芯片區(qū)域中該多個(gè)電路區(qū)域重疊的區(qū)域以產(chǎn)生一電容區(qū)域;
利用一單位電容模塊,自動(dòng)填入該電容區(qū)域以產(chǎn)生一第一電容陣列,該第一電容陣列的面積小于或等于該電容區(qū)域;以及
通過該布局文件以及該第一電容陣列,產(chǎn)生一最終電容布局文件。
9.一種自動(dòng)化電容布局裝置,包括:
一處理單元;以及
一儲(chǔ)存單元,用來儲(chǔ)存一程序代碼,該程序代碼指示該處理單元執(zhí)行以下步驟:
通過一布局文件,讀取一芯片區(qū)域與該芯片區(qū)域中多個(gè)電路區(qū)塊所覆蓋的多個(gè)電路區(qū)域;
比對(duì)并去除該芯片區(qū)域中該多個(gè)電路區(qū)域重疊的區(qū)域以產(chǎn)生一電容區(qū)域;
利用一單位電容模塊,自動(dòng)填入該電容區(qū)域以產(chǎn)生一第一電容陣列,該第一電容陣列的面積小于或等于該電容區(qū)域;以及
通過該布局文件以及該第一電容陣列,產(chǎn)生一最終電容布局文件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 自動(dòng)化設(shè)備和自動(dòng)化系統(tǒng)
- 一種基于流程驅(qū)動(dòng)的測(cè)試自動(dòng)化方法以及測(cè)試自動(dòng)化系統(tǒng)
- 用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備認(rèn)識(shí)的系統(tǒng)和方法
- 實(shí)現(xiàn)過程自動(dòng)化服務(wù)的標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)方法學(xué)的自動(dòng)化系統(tǒng)
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- 一種電氣自動(dòng)化設(shè)備自動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)及檢測(cè)方法
- 用于自動(dòng)化應(yīng)用的抽象層
- 一種基于虛擬化架構(gòu)的自動(dòng)化系統(tǒng)功能驗(yàn)證方法
- 自動(dòng)化測(cè)試框架自動(dòng)測(cè)試的實(shí)現(xiàn)技術(shù)





