[發明專利]一種冷噴涂制備氧化鋯/氧化鈰陶瓷涂層的方法無效
| 申請號: | 201210558837.9 | 申請日: | 2012-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN103074624A | 公開(公告)日: | 2013-05-01 |
| 發明(設計)人: | 熊玉明;李松林;王磊;熊翔 | 申請(專利權)人: | 中南大學 |
| 主分類號: | C23C24/04 | 分類號: | C23C24/04;C04B35/624;C04B35/628 |
| 代理公司: | 長沙市融智專利事務所 43114 | 代理人: | 顏勇 |
| 地址: | 410083 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 噴涂 制備 氧化鋯 氧化 陶瓷 涂層 方法 | ||
1.一種冷噴涂制備氧化鋯/氧化鈰陶瓷涂層的方法,其特征在于包括下述步驟:
第一步,氧化鋯/氧化鈰陶瓷粉末的納米化、非晶化前處理
將平均粒徑均為1-10μm的ZrO2、CeO2粉末按摩爾比3-10:1混料,得到混合粉末后干式球磨至混合粉末的晶粒度為10-15nm、非晶化轉變的混合粉末占ZrO2與CeO2粉末總摩爾質量的5-20%,得到冷噴涂用ZrO2+CeO2陶瓷粉末;
第二步:冷噴涂制備氧化鋯/氧化鈰陶瓷涂層
將第一步所得ZrO2+CeO2陶瓷粉末經預熱后冷噴涂在基體材料表面;或
將第一步所得ZrO2+CeO2陶瓷粉末經噴霧造粒后預熱,預熱后冷噴涂在基體材料表面;
所述預熱溫度為300-400℃;
冷噴涂工藝條件為:
工作氣體為氮氣或氦氣,工作氣體溫度為350-550℃,工作氣體壓力為10-29個大氣壓;噴槍出口處距沉積基體材料表面距離為30-50mm。
2.根據權利要求1所述的一種冷噴涂制備氧化鋯/氧化鈰陶瓷涂層的方法,其特征在于:所述ZrO2粉末的初始晶粒度為80-100納米。
3.根據權利要求1所述的一種冷噴涂制備氧化鋯/氧化鈰陶瓷涂層的方法,其特征在于:第一步中,所述混料采用ZrO2粉末與CeO2粉末的直接混合或采用溶膠凝膠法在ZrO2粉末表面包覆混合CeO2。
4.根據權利要求3所述的一種冷噴涂制備氧化鋯/氧化鈰陶瓷涂層的方法,其特征在于:所述的采用溶膠凝膠法在ZrO2粉末表面包覆混合CeO2是通過下述方案實現的:
按摩爾比Zr:Ce:聚二乙醇=3-10:1:2分別稱取ZrO2粉末、硝酸鈰(Ce(NO3)3.6H2O)、聚二乙醇,然后先將硝酸鈰充分溶入聚二乙醇中,在恒溫水浴80℃的條件下,攪拌形成半透明溶膠;然后加入ZrO2粉末,攪拌均勻后冷卻至室溫,得到Ce(OH)3包覆ZrO2的凝膠;用無水乙醇洗滌凝膠,抽濾,得到濾餅,將濾餅在490-510℃焙燒,使凝膠中Ce(OH)3充分脫水分解,冷卻至室溫,最終獲得ZrO2表面包覆有CeO2的復合粉末,復合粉末中CeO2粉層厚度大于3μm。
5.根據權利要求1所述的一種冷噴涂制備氧化鋯/氧化鈰陶瓷涂層的方法,其特征在于:所述干式球磨采用大、中、小三種規格的磨球,磨球數量按大:中:小=1:2:3的比例配置,球料質量比15-20:1,球磨時間20-60小時;球磨轉速為180-250r/min,球磨過程中每15-30min開啟球磨罐刮粉一次。
6.根據權利要求5所述的一種冷噴涂制備氧化鋯/氧化鈰陶瓷涂層的方法,其特征在于:大磨球直徑為8-12mm,中磨球直徑為6-9mm,小磨球直徑為3-6mm。
7.根據權利要求1所述的一種冷噴涂制備氧化鋯/氧化鈰陶瓷涂層的方法,其特征在于:第二步中,所述噴霧造粒所制備粉末顆粒的粒度為10-20μm、球形度≥70%。
8.根據權利要求1所述的一種冷噴涂制備氧化鋯/氧化鈰陶瓷涂層的方法,其特征在于:冷噴涂時,送粉量6-15g/min,噴槍掃速50-150mm/min。
9.根據權利要求4所述的一種冷噴涂制備氧化鋯/氧化鈰陶瓷涂層的方法,其特征在于:聚二乙醇選自國藥集團化學試劑有限公司生產的聚二乙醇400。
10.根據權利要求1-9所述的一種冷噴涂制備氧化鋯/氧化鈰陶瓷涂層的方法,其特征在于:所制備的氧化鋯/氧化鈰陶瓷涂層孔隙率低于1.2%、界面結合強度為30-55MPa、涂層厚度20μm-70μm。
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