[發明專利]納米壓電發電機及其制造方法

有效

• 申請號: 201210558507.X
• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN103199737A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 車承南;金成珉;孫禎忍
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H02N2/18
• 分類號: H02N2/18;H01L41/113
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.納米壓電發電機，包括：

第一電極；

第二電極；

至少一個納米結構體，其介于所述第一電極和所述第二電極之間，所述至少一個納米結構體包括壓電材料和第一載流子；及

濃度調節單元，其調節在所述至少一個納米結構體中所述第一載流子的濃度。

2.權利要求1的納米壓電發電機，其中所述壓電材料包括ZnO或GaN。

3.權利要求1的納米壓電發電機，其中所述第一電極和所述第二電極的至少一個包括具有等于或小于10^-3歐姆·cm的電阻率的硅基底。

4.權利要求1的納米壓電發電機，其中所述濃度調節單元包括第二載流子，其摻雜到所述至少一個納米結構體中且具有與所述第一載流子的極性相反的極性。

5.權利要求4的納米壓電發電機，其中所述至少一個納米結構體為ZnO半導體納米線，且所述第二載流子為p-型雜質。

6.權利要求5的納米壓電發電機，其中所述p-型雜質為鋰。

7.權利要求1的納米壓電發電機，其中所述濃度調節單元包括官能團，其附著到所述至少一個納米結構體的表面且攜帶具有與所述第一載流子的極性相同的極性的電荷。

8.權利要求7的納米壓電發電機，其中所述至少一個納米結構體為ZnO半導體納米線，且所述官能團為帶負電的。

9.權利要求1的納米壓電發電機，其中所述濃度調節單元包括設置在所述至少一個納米結構體的表面上的鐵電材料。

10.權利要求1的納米壓電發電機，進一步包括基底，所述第二電極設置在所述基底上，

其中所述基底為塑料基底或織物基底。

11.權利要求1的納米壓電發電機，其中所述至少一個納米結構體具有擁有等于或小于1μm的直徑的橫截面形狀。

12.納米壓電發電機，包括：

第一電極；

第二電極；及

至少一個納米結構體，其形成在所述第一電極和所述第二電極之間，所述至少一個納米結構體包括半導體壓電材料和第一載流子，

其中在所述至少一個納米結構體中所述第一載流子的濃度等于或小于10¹⁵/cm³。

13.權利要求12的納米壓電發電機，其中所述半導體壓電材料包括ZnO或GaN。

14.權利要求12的納米壓電發電機，其中所述第一電極和所述第二電極的至少一個包括具有等于或小于10^-3歐姆·cm的電阻率的硅基底。

15.權利要求12的納米壓電發電機，其中所述至少一個納米結構體為n-型ZnO半導體納米線，

其中所述至少一個納米結構體在其中進一步包括p-型雜質。

16.權利要求15的納米壓電發電機，其中所述p-型雜質為鋰。

17.權利要求12的納米壓電發電機，其中攜帶具有與所述第一載流子的極性相同的極性的電荷的官能團附著到所述至少一個納米結構體的表面。

18.權利要求17的納米壓電發電機，其中所述至少一個納米結構體為ZnO半導體納米線，

其中所述官能團為帶負電的。

19.權利要求12的納米壓電發電機，其中鐵電材料設置在所述至少一個納米結構體的表面上。

20.納米壓電發電機的制造方法，所述方法包括：

在第一電極上形成至少一個納米結構體，其包括壓電材料和第一載流子；和

調節在所述至少一個納米結構體中所述第一載流子的濃度。

21.權利要求20的方法，其中所述第一載流子的濃度的調節包括當形成所述至少一個納米結構體時將具有與所述第一載流子的極性相反的極性的第二載流子摻雜到所述至少一個納米結構體中。

22.權利要求21的方法，其中所述第一電極包括具有等于或小于10^-3歐姆·cm的電阻率的硅基底。

23.權利要求21的方法，其中所述至少一個納米結構體為ZnO半導體納米線，

其中所述第二載流子為p-型雜質。