[發(fā)明專利]引線框架加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210558306.X
• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN103887181B
• 公開（公告）日: 2017-10-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳沖;楊志剛;劉德波;孔令文;彭勤衛(wèi)
• 申請（專利權(quán)）人: 深南電路有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 深圳市深佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44285
• 代理人: 唐華明

1.一種引線框架加工方法，其特征在于，包括：

在載體材料的第一面上加工出第一導(dǎo)電層；

在所述第一導(dǎo)電層上設(shè)置介質(zhì)層；

在所述介質(zhì)層上設(shè)置第二導(dǎo)電層；

在所述第二導(dǎo)電層上鉆出貫通至所述第一導(dǎo)電層的若干個(gè)孔；

在所述孔內(nèi)填充導(dǎo)電物質(zhì)；

在所述第二導(dǎo)電層上貼第二膜；

通過對所述第二膜進(jìn)行曝光顯影處理露出非線路圖形區(qū)；

蝕刻掉第二導(dǎo)電層上所述非線路圖形區(qū)的導(dǎo)電物質(zhì)以形成線路圖形。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第二導(dǎo)電層上鉆出貫通至所述第一導(dǎo)電層的若干個(gè)孔，包括：

去除或減薄所述第二導(dǎo)電層上孔加工區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)；

在去除或減薄導(dǎo)電物質(zhì)的所述孔加工區(qū)域鉆出貫通至所述第一導(dǎo)電層的若干個(gè)孔。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述孔內(nèi)填充導(dǎo)電物質(zhì)之前還包括：在鉆出了所述若干個(gè)孔的所述第二導(dǎo)電層上貼第一膜；對所述第一膜進(jìn)行曝光顯影處理以露出所述孔；

所述在所述第二導(dǎo)電層上貼第二膜之前還包括：在去除所述第二導(dǎo)電層上的剩余第一膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述對所述第一膜進(jìn)行曝光顯影處理以露出所述孔，在所述孔內(nèi)填充導(dǎo)電物質(zhì)，包括：對所述第一膜進(jìn)行曝光顯影處理以露出線路圖形區(qū)域和所述孔，其中，所述曝光顯影處理后的剩余第一膜覆蓋所述第二導(dǎo)電層的非線路圖形區(qū)域；在所述孔內(nèi)填充導(dǎo)電物質(zhì)并增厚所述線路圖形區(qū)域的導(dǎo)電物質(zhì)；

所述在去除所述第二導(dǎo)電層上的剩余第一膜之后，在所述第二導(dǎo)電層上貼上第二膜之前還包括：通過微蝕液微蝕所述第二導(dǎo)電層以減薄所述第二導(dǎo)電層厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：去除所述載體材料和所述第一導(dǎo)電層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

所述在載體材料的第一面上加工出第一導(dǎo)電層，包括：通過化學(xué)鍍或?yàn)R射在載體材料的第一面上形成第一金屬種子層；在所述第一金屬種子層上加工出第一子導(dǎo)電層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，

所述第一金屬種子層包括：鎳、鐵、銅和鈦的至少一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在鉆出了所述若干個(gè)孔的所述第二導(dǎo)電層上貼第一膜之前還包括：通過化學(xué)鍍或?yàn)R射在鉆出的所述若干個(gè)孔的孔壁上形成第二金屬種子層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

所述在所述介質(zhì)層上設(shè)置第二導(dǎo)電層包括：

在所述介質(zhì)層上層壓銅箔層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第二導(dǎo)電層的厚度為1-10微米。