[發(fā)明專利]一種提高有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210557883.7
• 申請(qǐng)日: 2012-12-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103000809A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 童艷紅;湯慶鑫;塔力哈爾;裴騰飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東北師范大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/40
• 分類號(hào): H01L51/40
• 代理公司: 長(zhǎng)春市東師專利事務(wù)所 22202
• 代理人: 劉延軍;趙軍

1.提高空氣間隙結(jié)構(gòu)的有機(jī)單晶半導(dǎo)體材料的場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能的方法，

參照現(xiàn)有技術(shù)制備有機(jī)單晶半導(dǎo)體材料及空氣間隙場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征是：場(chǎng)效應(yīng)晶體管制備完成后，在腔體內(nèi)充入相關(guān)的氣體，其中：p-型半導(dǎo)體通入氧化性氣體，即二氧化氮或一氧化氮或二氧化硫，n-型半導(dǎo)體通入還原性酒精氣體，使氣體吸附到溝道處。

2.提高底柵極結(jié)構(gòu)的有機(jī)單晶半導(dǎo)體材料的場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能的方法，參照現(xiàn)有技術(shù)制備有機(jī)單晶半導(dǎo)體材料，其特征是：??將合成的有機(jī)單晶材料放入相關(guān)的氣體其中：p-型半導(dǎo)體通入氧化性氣體，即二氧化氮或一氧化氮或二氧化硫，n-型半導(dǎo)體通入還原性氣體酒精，使氣體在材料表面有一定的吸附；將已有氣體吸附的有機(jī)單晶材料，利用機(jī)械轉(zhuǎn)移的辦法制備成有機(jī)單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管；采用PMMA和有機(jī)材料相容的鈍化層封裝器件。

3.?提高頂柵極結(jié)構(gòu)的有機(jī)單晶半導(dǎo)體材料的場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能的方法，參照現(xiàn)有技術(shù)在特定襯底上制備出有機(jī)晶體材料，其特征是：?在制備絕緣層前，將有機(jī)晶體材料放入相關(guān)的氣體，其中：p-型半導(dǎo)體通入氧化性氣體，即二氧化氮或一氧化氮或二氧化硫，n-型半導(dǎo)體通入還原性酒精氣體，使氣體在材料表面有一定的吸附；制備出絕緣層和柵極，完成場(chǎng)效應(yīng)晶體管制備。