[發明專利]功率模塊以及空調裝置在審
| 申請號: | 201210557699.2 | 申請日: | 2012-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN103259420A | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發明(設計)人: | 加藤正博 | 申請(專利權)人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | H02M7/00 | 分類號: | H02M7/00;H02M1/42 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;張天舒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 功率 模塊 以及 空調 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及具有改善功率因數的PFC(Power?Factor?Correction,功率因數校正)功能的功率模塊和具備該功率模塊的空調裝置。
背景技術
已知用于提高功率使用的效率的具有改善功率因數的PFC功能的功率模塊。
在該功率模塊中,按照專利文獻1中公開的各元件間的連接關系,提出了如下結構:具備2相的半導體開關元件(一對半導體開關元件)、連接于各相的半導體開關元件的一對二極管、以及與該一對二極管共同連接的一個端子(P端子)。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2009–110981號公報。
發明要解決的問題
然而,在對2相的半導體開關元件共同使用一個端子(P端子)的上述結構中,2相的半導體開關元件的共同阻抗較大,功率模塊內的振蕩現象也大。其結果是,存在以下問題:在高速開關時,在2相的半導體開關元件的柵極–發射極間的起因于振蕩現象的噪聲變大。
發明內容
因此,本發明是鑒于上述那樣的問題而完成的,其目的在于,提供一種能夠抑制在一對半導體開關元件中產生的噪聲的技術。
用于解決問題的方案
本發明的功率模塊是具有PFC(Power?Factor?Correction)功能的功率模塊,其中,具備:一對半導體開關元件;一對第一二極管,與所述一對半導體開關元件分別連接,構成反向導通元件;以及一對第二二極管,與所述一對半導體開關元件分別連接,具有整流功能。而且,所述功率模塊具備:驅動部,對所述一對半導體開關元件進行驅動;以及一對端子,互相獨立地設置,分別連接于所述一對第一二極管的與所述一對半導體開關元件連接的一端相反的另一端。
此外,作為與上述不同的結構,本發明的功率模塊是具有與交錯(interleave)方式對應的PFC(Power?Factor?Correction)功能的功率模塊,其中,具備:一對半導體開關元件;以及一對二極管,與所述一對半導體開關元件分別連接,構成反向導通元件。而且,所述功率模塊具備:驅動部,對所述一對半導體開關元件進行驅動;以及一對端子,互相獨立地設置,分別連接于所述一對二極管的與所述一對半導體開關元件連接的一端相反的另一端。
發明效果
根據本發明,一對半導體開關元件經由一對第一二極管與一對端子連接。因此,能夠減少作用于一對半導體開關元件的共同阻抗,其結果是,能夠抑制在一對半導體開關元件中產生的噪聲。
附圖說明
圖1是表示實施方式1的空調裝置的結構的電路圖。
圖2是表示實施方式1的功率模塊的結構的平面圖。
圖3是表示實施方式2的空調裝置的結構的電路圖。
圖4是表示實施方式2的功率模塊的結構的平面圖。
圖5是表示關聯空調裝置的結構的電路圖。
圖6是表示關聯空調裝置具備的功率模塊的結構的平面圖。
具體實施方式
<實施方式1>
圖1是表示本發明實施方式1的空調裝置的結構的電路圖。如圖1所示,空調裝置具備:具有改善功率因數的PFC(Power?Factor?Correction)功能的功率模塊1、交流電源2、一對電感3a、3b、平滑電容器4、變換器(inverter)5、以及電阻6。
圖2是表示本實施方式的功率模塊1的結構的平面圖。該功率模塊1具備:一對作為Si–IGBT的IGBT11a、11b、一對第一二極管12a、12b、一對第二二極管13a、13b、驅動IC14、一對P端子21a、21b(一對端子)、以及端子22a、22b、23a、23b、24。再有,一對P端子21a、21b是功率模塊1的輸出端子,互相獨立地設置。
一對P端子21a、21b、以及端子22a、22b、23a、23b、24(以下稱為“端子組21a~24”)以由金屬等形成的框架(frame)構成。IGBT11a、11b、第一二極管12a、12b、第二二極管13a、13b、以及驅動IC14(以下稱為“IGBT11a等”)選擇性地設置在端子組21a~24上。而且,IGBT11a等、端子組21a~24的一部分、以及選擇性地將它們之間連接的導線(wire)布線26被封裝(package)27覆蓋。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三菱電機株式會社,未經三菱電機株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210557699.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:取代的苯氧基吡啶
- 下一篇:螺-吲哚酮化合物作為治療劑的用途





