[發明專利]一種對晶圓表面硅晶渣進行清洗的方法無效
| 申請號： | 201210557559.5 | 申請日： | 2012-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN103878148A | 公開（公告）日： | 2014-06-25 |
| 發明（設計）人： | 李儒興;陶仁峰;胡海天;李志國 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | B08B7/04 | 分類號： | B08B7/04;B08B1/04;B08B3/12 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 張靜潔;徐雯瓊 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 表面 硅晶渣 進行 清洗 方法 | ||
1.一種對晶圓表面硅晶渣進行清洗的方法，其特征在于，將表面沾染大量硅晶渣的晶圓傳輸至化學機械研磨制程中所使用的化學機械拋光后清洗裝置內，使用該化學機械拋光后清洗裝置對晶圓表面的硅晶渣進行清洗。
2.如權利要求1所述的對晶圓表面硅晶渣進行清洗的方法，其特征在于，具體包含以下步驟：
步驟1、將表面沾染大量硅晶渣的晶圓（5）傳輸至化學機械拋光后清洗裝置的第一刷洗單元（2）內；
步驟2、所述該第一刷洗單元（2）內設置有兩把清洗刷（21），所述晶圓（5）放置在第一刷洗單元（2）內的兩把清洗刷（21）之間，在對晶圓（5）的正反兩個表面噴射氨水的同時，第一刷洗單元（2）內的兩把清洗刷（21）通過旋轉分別對晶圓（5）的正反兩個表面進行刷洗；
步驟3、將晶圓（5）傳輸至化學機械拋光后清洗裝置的第二刷洗單元（3）內，該第二刷洗單元（3）內設置有兩把清洗刷（31），所述晶圓（5）放置在第二刷洗單元（3）內的兩把清洗刷（31）之間，在對晶圓（5）的正反兩個表面噴射氟氫酸溶液或超純水的同時，第二刷洗單元（3）內的兩把清洗刷（31）通過旋轉分別對晶圓（5）的正反兩個表面進行刷洗；
步驟4、將晶圓（5）傳輸至化學機械拋光后清洗裝置的干燥單元（4）內，將晶圓表面的殘留溶液通過高速旋轉甩干和烘干，完成清洗步驟。
3.如權利要求2所述的對晶圓表面硅晶渣進行清洗的方法，其特征在于，步驟2中所述的設置在第一刷洗單元（2）內的第一清洗刷（21）采用聚乙稀醇材料制成，表面多孔，材質柔軟。
4.如權利要求2所述的對晶圓表面硅晶渣進行清洗的方法，其特征在于，步驟3中所述的設置在第二刷洗單元（3）內的第二清洗刷（31）采用聚乙稀醇材料制成，表面多孔，材質柔軟。
5.如權利要求2所述的對晶圓表面硅晶渣進行清洗的方法，其特征在于，在步驟1之前還包含以下步驟：
將表面沾染大量硅晶渣的晶圓（5）傳輸至化學機械拋光后清洗裝置的兆聲波清洗單元（1）內，且垂直放置，采用過氧化氫、氨水、水的混合溶液和兆聲振動對該垂直放置的晶圓（5）進行清洗以預先去除晶圓表面的沾污顆粒。
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