[發明專利]一種防止晶片碎裂的檢測裝置

有效

• 申請號: 201210557540.0
• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN103887208A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 馬東;解毅;趙洪濤;何雅彬;馬世余;王喆;沈瑜俊;吳奇昆;孫亭
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張靜潔;徐雯瓊

1.一種防止晶片碎裂的檢測裝置，用于具有多處理腔的半導體設備中；其中，所述半導體設備包含傳輸腔（1），以及呈星型設置在所述傳輸腔周圍的若干處理腔（2）；所述傳輸腔（1）包含晶片傳輸緩沖腔（11）和晶片存儲腔（12）；其特征在于，

所述的檢測裝置是設置在晶片存儲腔（12）內的，用于檢測晶片在晶片存儲腔（12）內的放置位置是否存在偏差；

所述的檢測裝置包含第一傳感器（51）；接收該第一傳感器（51）發出的檢測信號的第一接收器（61）；第二傳感器（52）；以及接收該第二傳感器（52）發出的檢測信號的第二接收器（62）。

2.如權利要求1所述的防止晶片碎裂的檢測裝置，其特征在于，所述第一傳感器（51）設置在晶片存儲腔（12）的頂蓋上，且位于晶片存儲腔（12）與晶片傳輸緩沖腔（11）的連接側的中間位置。

3.如權利要求2所述的防止晶片碎裂的檢測裝置，其特征在于，所述的第一傳感器（51）緊貼晶片存儲腔（12）的內壁設置。

4.如權利要求3所述的防止晶片碎裂的檢測裝置，其特征在于，所述第一接收器（61）設置在晶片存儲腔（12）的底部，且位于所述第一傳感器（51）的垂直下方位置；所述第一傳感器（51）發出的檢測信號通過晶片與晶片存儲腔（12）內壁之間的間隙傳輸至第一接收器（61）。

5.如權利要求2所述的防止晶片碎裂的檢測裝置，其特征在于，所述第二傳感器（52）設置在晶片存儲腔（12）的頂蓋上，且位于晶片存儲腔（12）與外部片匣（4）的連接側的中間位置，其與所述第一傳感器（51）水平相對設置。

6.如權利要求5所述的防止晶片碎裂的檢測裝置，其特征在于，所述的第二傳感器（52）緊貼晶片存儲腔（12）的內壁設置。

7.如權利要求6所述的防止晶片碎裂的檢測裝置，其特征在于，所述第二接收器（62）設置在晶片存儲腔（12）的底部，且位于所述第二傳感器（52）的垂直下方位置；所述第二傳感器（52）發出的檢測信號通過晶片與晶片存儲腔（12）內壁之間的間隙傳輸至第二接收器（62）。

8.如權利要求5所述的防止晶片碎裂的檢測裝置，其特征在于，在所述晶片存儲腔（12）的頂蓋上設置有兩個安裝支架，所述的第一傳感器（51）和第二傳感器（52）分別通過這兩個安裝支架固定設置在晶片存儲腔（12）的頂蓋上。