[發明專利]半導體器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201210557121.7 | 申請日： | 2009-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN103107201A | 公開（公告）日： | 2013-05-15 |
| 發明（設計）人： | 秋元健吾;佐佐木俊成 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/45;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 申發振 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件，包括：
柵電極；
在所述柵電極的上方的柵絕緣膜；
在所述柵電極的上方的包含銦的第一非單晶氧化物半導體層，其中所述柵絕緣膜夾在所述柵電極和所述第一非單晶氧化物半導體層之間；
在所述第一非單晶氧化物半導體層的上方的包含銦的第二非單晶氧化物半導體層，所述第二非單晶氧化物半導體層的導電率小于所述第一非單晶氧化物半導體層的導電率；
在所述第二非單晶氧化物半導體層的上方且與所述第二非單晶氧化物半導體層電接觸的源電極；
在所述第二非單晶氧化物半導體層的上方且與所述第二非單晶氧化物半導體層電接觸的漏電極；以及
在所述第二非單晶氧化物半導體層、所述源電極和所述漏電極的上方的包含硅的絕緣膜，
其中，所述第二非單晶氧化物半導體層的上表面包括位于所述源電極和所述漏電極之間的凹部，使得所述源電極和所述漏電極之間的所述第二非單晶氧化物半導體層的厚度小于所述源電極和所述漏電極下方的所述第二非單晶氧化物半導體層的厚度，并且
其中，所述絕緣膜與所述源電極和所述漏電極之間的所述第二非單晶氧化物半導體層的所述上表面接觸。
2.一種半導體器件，包括：
柵電極；
在所述柵電極的上方的柵絕緣膜；
在所述柵電極的上方的包含銦的第一非單晶氧化物半導體層，其中所述柵絕緣膜夾在所述柵電極和所述第一非單晶氧化物半導體層之間；
在所述第一非單晶氧化物半導體層的上方的包含銦的第二非單晶氧化物半導體層，所述第二非單晶氧化物半導體層的導電率小于所述第一非單晶氧化物半導體層的導電率；
在所述第二非單晶氧化物半導體層的上方且與所述第二非單晶氧化物半導體層電接觸的源電極；
在所述第二非單晶氧化物半導體層的上方且與所述第二非單晶氧化物半導體層電接觸的漏電極；以及
在所述第二非單晶氧化物半導體層、所述源電極和所述漏電極的上方的保護膜，
其中，所述第二非單晶氧化物半導體層的上表面包括位于所述源電極和所述漏電極之間的凹部，使得所述源電極和所述漏電極之間的所述第二非單晶氧化物半導體層的厚度小于所述源電極和所述漏電極下方的所述第二非單晶氧化物半導體層的厚度，并且
其中，所述保護膜與所述源電極和所述漏電極之間的所述第二非單晶氧化物半導體層的所述上表面接觸。
3.一種半導體器件，包括：
柵電極；
在所述柵電極的上方的柵絕緣膜；
在所述柵電極的上方的包含銦的第一非單晶氧化物半導體層，其中所述柵絕緣膜夾在所述柵電極和所述第一非單晶氧化物半導體層之間；
在所述第一非單晶氧化物半導體層的上方的包含銦的第二非單晶氧化物半導體層，所述第二非單晶氧化物半導體層的導電率小于所述第一非單晶氧化物半導體層的導電率；
在所述第二非單晶氧化物半導體層的上方且與所述第二非單晶氧化物半導體層電接觸的源電極；
在所述第二非單晶氧化物半導體層的上方且與所述第二非單晶氧化物半導體層電接觸的漏電極；以及
在所述第二非單晶氧化物半導體層、所述源電極和所述漏電極的上方的包含硅的絕緣膜，
其中，所述第二非單晶氧化物半導體層的位于所述源電極和所述漏電極之間的部分被蝕刻，使得所述源電極和所述漏電極之間的所述第二非單晶氧化物半導體層的部分比所述源電極和所述漏電極下方的所述第二非單晶氧化物半導體層的部分薄，并且
其中，所述絕緣膜與所述源電極和所述漏電極之間的所述第二非單晶氧化物半導體層的上表面接觸。
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