[發(fā)明專利]多晶硅部分及破碎硅體的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210557088.8
• 申請(qǐng)日: 2012-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN103172068A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: L·法布里;P·格呂布爾;C·胡貝爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瓦克化學(xué)股份公司
• 主分類號(hào): C01B33/035
• 分類號(hào): C01B33/035
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 過曉東;譚邦會(huì)

1.多晶硅部分，其具有至少一個(gè)斷裂面或切割面，所述多晶硅部分包含0.07ng/cm²-1ng/cm²的金屬污染物。

2.權(quán)利要求1的多晶硅部分，其還具有以下總濃度：

Cr總濃度0.5-5pptw，W總濃度0.1-0.5pptw，Au總濃度0.001-0.1pptw，F(xiàn)e總濃度20-50pptw，Co總濃度0.05-0.3pptw，Ni總濃度30-70pptw，Cu總濃度30-50pptw，Zn總濃度1.5-3pptw，As總濃度0.05-4pptw和Sb總濃度0.02-0.6pptw。

3.權(quán)利要求1或2的多晶硅部分，其還在所述斷裂面或切割面上具有以下濃度：Fe0.01-0.08ng/cm²，Cu0.01-0.12ng/cm²，Ni0.01-0.06ng/cm²，Cr0.01-0.08ng/cm²，Na0.01-0.12ng/cm²，Zn0.01-0.06ng/cm²和Al0.01-0.10ng/cm²。

4.破碎硅體、優(yōu)選破碎多晶硅棒的方法，其包括以下步驟：

a)測(cè)定所述硅體的最低固有彎曲頻率；

b)利用振蕩發(fā)生器，以所述硅體的最低固有彎曲頻率對(duì)其進(jìn)行激勵(lì)，所述激勵(lì)在硅體的激勵(lì)點(diǎn)處進(jìn)行，從而使所述硅體在激勵(lì)點(diǎn)處破碎；

由此產(chǎn)生具有斷裂面的硅部分，其包含0.07ng/cm²-至多1ng/cm²的金屬污染物。

5.權(quán)利要求4的方法，其中將電動(dòng)式振蕩發(fā)生器、液壓式振蕩發(fā)生器或者定向不平衡振蕩發(fā)生器用作所述振蕩發(fā)生器。

6.權(quán)利要求4或5的方法，其中通過沖擊法測(cè)定硅體的最低固有彎曲頻率。

7.權(quán)利要求4-6中任一項(xiàng)所述的方法，其中通過機(jī)械連接或無接觸地提供振蕩發(fā)生器的激勵(lì)力。

8.權(quán)利要求4-7中任一項(xiàng)所述的方法，其中在激勵(lì)過程中，在沒有彎曲矩的情況下固定所述硅體。

9.權(quán)利要求4-8中任一項(xiàng)所述的方法，其中在激勵(lì)過程中，所述硅體位于硅板上方20-100mm。